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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 10:00 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 伝導型の違いからみたGaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解明 ○古賀祐介・中村成志・奥村次徳（首都大東京） |
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| ED | 2010-09-13 13:50 |
福岡 | 九州工業大（若松キャンパス） | Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ構造センサの水素応答メカニズム ○瀧本拓真・中村成志・奥村次徳（首都大東京） |
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| ED | 2009-06-11 15:35 |
東京 | 東京工業大学 | GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価 ○中村成志・星野晃一・落合俊輔・須原理彦・奥村次徳（首都大東京）  ED2009-40 |
[more] | ED2009-40 pp.21-25 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 15:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション ○束原 肇・中村成志・奥村次徳（首都大東京） ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 |
AlGaN/GaNヘテロ構造にMEMS技術（マイクロオリガミ）を適用し，界面に生じる二次元電子ガス（2DEG）の影響を調... [more] | ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 pp.149-154 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 16:10 |
愛知 | 名古屋工業大学 | Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討 ○高橋紀行・中村成志・奥村次徳（首都大東京） ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 |
100ppm以下の水素濃度検知を目指し，ゲート電極にパラジウム(Pd)を用いたAlGaN/GaN 高電子移動度トランジス... [more] | ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 pp.155-159 |
| ED | 2008-06-14 09:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価 ○井城悠一（首都大東京）・品田唱秋（都立大）・直井 護（首都大東京）・朝岡直哉（都立大）・須原理彦・奥村次徳（首都大東京） ED2008-33 |
化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオード（TBRTD）の非線形小信号等価回路の同定と回路素子成分のバイアス電圧依存性を... [more] | ED2008-33 pp.61-66 |
| ED | 2007-06-15 16:40 |
富山 | 富山大学 | 共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討 ○須原理彦・植木絵理・奥村次徳（首都大東京） ED2007-39 |
微分負性抵抗素子である共鳴トンネルダイオード２個とFET１個用いて構成する集積型ジャイレータ回路を提案した。2ポート回路... [more] | ED2007-39 pp.45-50 |
| SDM, ED (共催) |
2007-02-01 13:30 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング ○朝岡直哉（都立大）・須原理彦・奥村次徳（首都大東京） |
[more] | ED2006-240 SDM2006-228 pp.1-6 |
| R, ED, SDM (共催) |
2005-11-25 15:30 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価 ○須田将之（都立大）・中村成志・須原理彦・奥村次徳（都立大/首都大東京） |
プラズマ照射によるn-GaNの電気特性への影響を評価した．水素プラズマ照射されたSi doped n-GaNにおいて，低... [more] | R2005-45 ED2005-180 SDM2005-199 pp.43-46 |
| MW | 2005-09-12 11:35 |
東京 | 青山学院大学 | 平面型スパイラルインダクタのサイズスケーリング則と構造最適化に関する理論解析 ○岡山政憲（都立大）・須原理彦・奥村次徳（都立大/首都大東京） |
[more] | MW2005-67 pp.27-32 |
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