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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2021-11-12
09:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化
小林拓真京大/東工大)・奥田貴史立木馨大伊藤滉二京大)・松下雄一郎東工大)・木本恒暢京大SDM2021-60
SiC MOSFETは電力変換用のパワーデバイスとして有望である。しかしSiC/SiO$_2$界面の高密度欠陥に起因した... [more] SDM2021-60
pp.38-42
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
16:45
京都 京都大学 4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性
浅田聡志奥田貴史木本恒暢須田 淳京大EID2014-35 SDM2014-130
本研究では、4H-SiC バイポーラトランジスタにおける電流増幅率の温度依存性を140-460 Kの範囲で測定した。増幅... [more] EID2014-35 SDM2014-130
pp.115-118
EE, IEE-SPC
(連催)
2012-07-31
09:00
奈良 奈良工業高等専門学校 電力パケット伝送のためのケーブル特性とパルス波形に関する実験的検討
梶山拓也奥田貴史高橋 亮引原隆士京大EE2012-9
電力パケット伝送とは, 情報通信分野のパケット通信方式の概念に基づく新しい電力伝送方式である. この伝送方式では分割され... [more] EE2012-9
pp.45-49
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
14:50
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 様々なバンド不連続を有するAlGaN/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
奥田貴史三宅裕樹木本恒暢須田 淳京大ED2011-81 CPM2011-130 LQE2011-104
 [more] ED2011-81 CPM2011-130 LQE2011-104
pp.39-42
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