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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
WPT, EE
(併催)
2020-10-07
13:40
ONLINE オンライン開催 ノーマリオフGaN HEMTを用いたレクテナ用ゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性
高橋英匡安藤裕二名大)・土屋洋一分島彰男名工大)・林 宏暁柳生栄治三菱電機)・桔川洸一坂井尚貴伊東健治金沢工大)・須田 淳名大WPT2020-19
無線電力伝送用デバイスとして、ノーマリオフ型のGaN HEMTのゲート電極とオーミック電極を短絡したゲーテッドアノード型... [more] WPT2020-19
pp.1-5
ED, MW
(共催)
2010-01-14
15:30
東京 機械振興会館 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET
大田一樹遠藤一臣岡本康宏安藤裕二宮本広信嶋脇秀徳NECED2009-189 MW2009-172
パワーエレクトロニクス応用に向け、閾値制御性に優れたノーマリオフ動作リセスゲートAlGaN/GaN HFETを開発した.... [more] ED2009-189 MW2009-172
pp.81-85
ED, MW
(共催)
2008-01-16
15:50
東京 機械振興会館 CW20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器
村瀬康裕分島彰男井上 隆山之口勝己田能村昌宏中山達峰岡本康宏大田一樹安藤裕二黒田尚孝松永高治宮本広信新機能素子研究開発協会/NECED2007-212 MW2007-143
AlGaN/GaNトランジスタを用いた準ミリ波帯高出力増幅器モジュールを作製した。電流コラプスを抑え高出力化を図るため、... [more] ED2007-212 MW2007-143
pp.33-38
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