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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2018-06-25 11:20 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較 グェン スァン チュン（名大）・○田岡紀之（AIST-NU GaN-OIL）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（AIST-NU GaN-OIL）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（AIST-NU GaN-OIL）・宮崎誠一（名大）  SDM2018-17 |
[more] | SDM2018-17 pp.5-9 |
| SDM | 2018-06-25 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価 ○松田亮平・大田晃生（名大）・田岡紀之（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） SDM2018-22 |
n型GaN(0001)基板上に、リモートプラズマ支援CVDにより厚さ~6.2nmのSiO2を堆積し、X線光電子分光法(X... [more] | SDM2018-22 pp.29-32 |
| SDM | 2018-06-25 16:35 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価 藤村信幸・○大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2018-26 |
[more] | SDM2018-26 pp.47-51 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 12:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 ○グェンスァン チュン（名大）・田岡紀之（産総研）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 |
SiH4とリモート酸素プラズマ用いたCVD(ROPE-CVD)によって形成したSiO2/GaN構造に対して、600から8... [more] | ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 pp.61-64 |
| SDM | 2017-06-20 14:35 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価 ○藤村信幸・大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-25 |
[more] | SDM2017-25 pp.19-23 |
| SDM | 2017-06-20 14:55 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | 定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価 ○大田晃生・加藤祐介・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-26 |
[more] | SDM2017-26 pp.25-29 |
| SDM | 2017-06-20 16:50 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 ○伊藤公一・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-30 |
卓越した電子物性が理論予測されているSiやGeなどのIV族元素の二次元結晶を作成することを目指し、SiやGeと共晶反応を... [more] | SDM2017-30 pp.43-48 |
| SDM | 2016-06-29 14:10 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量 ○藤村信幸・大田晃生・渡辺浩成・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2016-40 |
X線光電子分光法において、価電子帯信号と二次光電子信号を組み合わせることで、SiO2、4H-SiC、およびSiの真空準位... [more] | SDM2016-40 pp.43-47 |
| SDM | 2016-06-29 14:45 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成 ○グェンスァン チュン・藤村信幸・竹内大智・大田晃生・牧原克典・池田弥央・宮崎誠一（名大） SDM2016-41 |
SiH4と励起したAr希釈O2を用いたリモート酸素プラズマ支援CVD(O2-RPCVD)により水素終端したSi表面上にS... [more] | SDM2016-41 pp.49-52 |
| SDM | 2015-06-19 12:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価 ○渡辺浩成・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2015-44 |
[more] | SDM2015-44 pp.31-35 |
| SDM | 2015-06-19 13:20 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 ○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2015-46 |
リモートH2プラズマ(H2-RP)支援によるTiナノドットの形成とその埋め込みがSiOx膜の抵抗変化特性に与える影響につ... [more] | SDM2015-46 pp.41-45 |
| SDM | 2014-06-19 11:25 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成 ○浜田慎也・村上秀樹・小野貴寛・橋本邦明（広島大）・大田晃生（名大）・花房宏明・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2014-48 |
Ge中でのAsの活性化率を向上させるために、Ge(100)に対して基板温度を-100~400°Cに制御してAs+イオン注... [more] | SDM2014-48 pp.27-30 |
| SDM | 2014-06-19 12:05 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Mnナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Ni構造の抵抗変化特性 ○荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2014-50 |
[more] | SDM2014-50 pp.37-42 |
| SDM | 2014-06-19 15:20 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］ナノドットを電極に用いたNi/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価 ○大田晃生・劉 冲・荒井 崇・竹内大智・張 海・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2014-56 |
[more] | SDM2014-56 pp.69-73 |
| SDM | 2013-06-18 13:15 |
東京 | 機械振興会館 | リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価 ○牧原克典・福岡 諒・張 海・壁谷悠希（名大）・大田晃生（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2013-53 |
[more] | SDM2013-53 pp.47-50 |
| SDM | 2013-06-18 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価 ○大田晃生（広島大）・福嶋太紀・牧原克典（名大）・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2013-56 |
[more] | SDM2013-56 pp.61-66 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 08:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior ○Akio Ohta（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara（Nagoya Univ.）・Mitsuhisa Ikeda・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi（Hiroshima Univ.）・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.） |
[more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 09:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Characterization of Resistive Switching of Pt/Si-rich Oxide/TiN System ○Motoki Fukusima（Nagoya Univ.）・Akio Ohta（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.） |
[more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 09:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy ○Daichi Takeuchi・Katsunori Makihara（Nagoya Univ.）・Mitsuhisa Ikeda（Hiroshima Univ.）・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.）・Hirokazu Kaki・Tsukasa Hayashi（NISSIN ELECTRIC Co. Ltd.,） |
[more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 09:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures ○Mitsuhisa Ikeda（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.） |
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