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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MWPTHz (共催) |
2023-12-22 13:40 |
宮城 | 東北大・通研 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］ミリ波GaN増幅器向けデバイスモデリング技術 ○山口裕太郎・新庄真太郎（三菱電機）・宮本恭幸（東工大） |
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| MW | 2023-11-17 12:30 |
沖縄 | 名護市産業支援センター（沖縄） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
サブテラヘルツ帯GaN-HEMT向け高スケーリング精度を有する分布型モデル ○山口裕太郎・久樂 顕・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・宮本恭幸（東工大）  MW2023-142 |
[more] | MW2023-142 pp.87-91 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2018-10-19 10:20 |
佐賀 | 佐賀県教育会館 第1会議室 | Siフォトニクスによる光渦MUX/DEMUXモジュール ○雨宮智宏（東工大）・吉田知也・渥美裕樹（産総研）・西山伸彦・宮本恭幸（東工大）・榊原陽一（産総研）・荒井滋久（東工大） OCS2018-42 OPE2018-78 LQE2018-67 |
(事前公開アブストラクト) 100ギガビット超光リンクの低コスト化と低消費電力が進められる中、従来の多重方式に留まらず、... [more] | OCS2018-42 OPE2018-78 LQE2018-67 pp.75-80 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 09:55 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響 ○大澤一斗・野口真司・祢津誠晃・木瀬信和・宮本恭幸（東工大） ED2016-103 MW2016-179 |
高い電子移動度を持つIII-V族化合物半導体が将来のnMOSFETのチャネル材料として期待されている。その実現のためには... [more] | ED2016-103 MW2016-179 pp.35-40 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 10:20 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | Evaluation of electrical properties of HfS2 thin flakes obtained by mechanical exfoliation ○Vikrant Upadhyaya・Toru Kanazawa・Yasuyuki Miyamoto（TokyoTech） ED2016-23 CPM2016-11 SDM2016-28 |
[more] | ED2016-23 CPM2016-11 SDM2016-28 pp.47-50 |
| ED | 2015-07-25 10:40 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス ○木下治紀・祢津誠晃・三嶋裕一・金澤 徹・宮本恭幸（東工大） ED2015-44 |
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。さらなる性能向上を目指して、マル... [more] | ED2015-44 pp.39-44 |
| ED | 2014-08-01 11:20 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証 ○大橋一水・藤松基彦・宮本恭幸（東工大） ED2014-54 |
次世代のスイッチングデバイスとしてTunnel FETが注目されている。Tunnel FETには急峻なSub-thres... [more] | ED2014-54 pp.7-11 |
| ED | 2014-08-01 13:30 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | ［招待講演］低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造 ○宮本恭幸・金澤 徹・米内義晴・加藤 淳・藤松基彦・柏野壮志・大澤一斗・大橋一水（東工大） ED2014-56 |
高いオン電流($I_{on}$)と低いオフ電流 ($I_{off}$) を低電源電圧で実現することは、論理回路応用の為に... [more] | ED2014-56 pp.19-24 |
| SDM | 2014-01-29 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs ○入沢寿史・小田 穣・池田圭司・守山佳彦・三枝栄子・W Jevasuwan・前田辰郎（産総研）・市川 麿・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・宮本恭幸（東工大）・手塚 勉（産総研） SDM2013-137 |
(111)B面をチャネルとする底辺30 nmの三角形状In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に... [more] | SDM2013-137 pp.9-12 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET ○金澤 徹・三嶋裕一・木下治紀・上原英治・宮本恭幸（東工大） ED2013-115 MW2013-180 |
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。そのさらなる性能向上を目指して、... [more] | ED2013-115 MW2013-180 pp.29-33 |
| OPE | 2013-12-20 16:55 |
東京 | 機械振興会館 | メタマテリアルを用いたInP系プラットフォームにおける透磁率制御 ○雨宮智宏・金澤 徹（東工大）・石川 篤（理研）・カン ジュンヒョン・西山伸彦・宮本恭幸（東工大）・田中拓男（理研）・荒井滋久（東工大） OPE2013-146 |
[more] | OPE2013-146 pp.45-50 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析 ○林 一夫・大石敏之・加茂宣卓・山口裕太郎・大塚浩志・山中宏治・中山正敏（三菱電機）・宮本恭幸（東工大） ED2012-125 MW2012-155 |
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について，実測とTCADシミュレーションの両方から解析した．まず，ピンチ... [more] | ED2012-125 MW2012-155 pp.69-74 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 10:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Vertical InGaAs MOSFET with HfO2 gate Jun Hirai・Tomoki Kususaki・Shunsuke Ikeda・○Yasuyuki Miyamoto（Tokyo Tech） |
[more] | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 09:00 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化 ○柏野壮志・平井 準・池田俊介・藤松基彦・宮本恭幸（東工大） ED2012-26 CPM2012-10 SDM2012-28 |
我々はヘテロ接合電子ランチャと真性半導体チャネルを有する縦型MISFETの研究を行っている。この構造により7 MA/cm... [more] | ED2012-26 CPM2012-10 SDM2012-28 pp.43-48 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討 ○宮本恭幸・山田真之・内田 建（東工大） ED2011-129 MW2011-152 |
MOSFETにおいてチャネル長縮小がすすむと電子はチャネル内をバリスティックに走行するため、電流量がソースとチャネルの間... [more] | ED2011-129 MW2011-152 pp.59-62 |
| ED | 2011-12-14 13:00 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | ［招待講演］InGaAs MOSFETの高電流密度化 ○宮本恭幸・米内義晴・金澤 徹（東工大） ED2011-100 |
ITRS の予測では、将来のMOSFETにおいて、電源電圧=0.6V で2A/mmを超える高い電流駆動能力が求められてい... [more] | ED2011-100 pp.1-6 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET ○金澤 徹・寺尾良輔・山口裕太郎・池田俊介・米内義晴・加藤 淳・宮本恭幸（東工大） ED2010-188 MW2010-148 |
2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体... [more] | ED2010-188 MW2010-148 pp.69-73 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 15:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with buried SiO2 wires ○Naoaki Takebe・Takashi Kobayashi・Hiroyuki Suzuki・Yasuyuki Miyamoto・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.） ED2010-69 SDM2010-70 |
In this paper, we report the fabrication and device characte... [more] | ED2010-69 SDM2010-70 pp.75-79 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET ○金澤 徹・若林和也・齋藤尚史・寺尾良輔・田島智宣・池田俊介・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-181 MW2009-164 |
2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用い... [more] | ED2009-181 MW2009-164 pp.39-42 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 ○山田真之・上澤岳史・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-182 MW2009-165 |
高電流密度駆動時におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）のエミッタ充電時間対電流密度の逆数特性について理論的考... [more] | ED2009-182 MW2009-165 pp.43-48 |
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