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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-06-26 11:50 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | FeナノドットへのSiH4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響 ○斎藤陽斗・牧原克典・谷田 駿・田岡紀之・宮﨑誠一（名大）  SDM2023-30 |
[more] | SDM2023-30 pp.11-14 |
| SDM | 2023-06-26 12:10 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | 熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価 ○佐野友之輔（名大）・田岡紀之（愛知工大）・牧原克典（名大）・大田晃生（福岡大）・宮﨑誠一（名大） SDM2023-31 |
Hf系酸化物のOrthorhombic(O)相は~5.0nmの超薄膜においても強誘電性を示すが、準安定相であるため、形成... [more] | SDM2023-31 pp.15-18 |
| SDM | 2022-06-21 14:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響 ○安田 航・田岡紀之・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2022-26 |
斜方晶Hf系酸化物は5 -10 nmの薄膜においても強誘電性を示すことが知られている。一方で、斜方晶Hf系酸化物は、準安... [more] | SDM2022-26 pp.9-12 |
| SDM | 2022-06-21 17:20 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御 ○木村圭佑・田岡紀之・西村駿介・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2022-31 |
金属ナノシート(MNS)を用いたデバイスが検討されているが、SiO2上のMNSの表面形態や結晶相制御についての理解は十分... [more] | SDM2022-31 pp.27-30 |
| SDM | 2022-06-21 17:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御 ○酒井大希・松下圭吾・大田晃生・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2022-32 |
[more] | SDM2022-32 pp.31-34 |
| SDM | 2021-06-22 17:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御 ○大田晃生・松下圭吾・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2021-29 |
化学溶液洗浄したGe(111)上にAlを真空蒸着したAl/Ge(111)において、真空熱処理の温度や時間がAl表面に形成... [more] | SDM2021-29 pp.27-31 |
| SDM | 2019-06-21 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 ○小林征登・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・田岡紀之・池田弥央・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2019-27 |
金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶・偏析を利用してGeの二次元結晶を作成することを目的として、Geと共晶反応を示すA... [more] | SDM2019-27 pp.11-15 |
| SDM | 2019-06-21 16:45 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析 ○大田晃生・牧原克典（名大）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司・宮﨑誠一（名大） SDM2019-35 |
化学溶液洗浄したGaN(0001)上にプラズマ支援ALDを用いてHf/(Hf+Si)組成の異なるHfSiOxを形成し、8... [more] | SDM2019-35 pp.47-51 |
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