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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2019-01-17
15:25
東京 日立中研 (東京都) ノーマリオフ型GaN MOS-HFETにおけるバイアスアニールの効果
南條拓真小山英寿今井章文綿引達郎山向幹雄三菱電機ED2018-78 MW2018-145
GaN系半導体は、高周波デバイスだけではなく、高出力スイッチングデバイスに用いる半導体材料として近年注目を集めており、ノ... [more] ED2018-78 MW2018-145
pp.55-58
MW, ED
(共催)
2017-01-27
14:25
東京 機械振興会館地下2階1号室 (東京都) 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器
桑田英悟杉本篤夫小山英寿加茂宣卓幸丸竜太山中宏治三菱電機ED2016-110 MW2016-186
高周波半導体の高電圧化により高周波増幅器の高出力化が進められている.この高電圧半導体にマッチした,小型な回路でインピーダ... [more] ED2016-110 MW2016-186
pp.75-79
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
15:45
京都 京大桂キャンパス (京都府) プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作
南條拓真林田哲郎小山英寿今井章文古川彰彦山向幹雄三菱電機ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
GaNは高周波素子だけではなく,高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている.高出力スイッチング素... [more] ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
pp.31-34
ED 2016-01-20
15:30
東京 機械振興会館 (東京都) GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析
渡辺伸介今井翔平桑田英悟小山英寿加茂宣卓山本佳嗣三菱電機ED2015-119
GaN HEMTのユニットセルトランジスタにおいて、ミリ波帯の発振が観測された。この発振を抑制すべくトランジスタに対して... [more] ED2015-119
pp.43-48
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