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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2017-03-09
15:50
沖縄 具志川農村環境改善センター ソフトウェア制御型SSDを用いたゲノム解析向けデータ近傍演算の高速化
桑村慎哉風間 哲吉田英司小川淳二三吉貴史野口泰生富士通研CPSY2016-139 DC2016-85
データ移動コストを削減してシステムを高速化するため、メモリの近傍で演算を行うデータ近傍演算が最近注目されている。今回、我... [more] CPSY2016-139 DC2016-85
pp.45-50
IN 2016-06-16
11:10
静岡 静岡大学(浜松) ネットワークの複数拠点への大容量データ配信における、ネットワークリンクの帯域に基づいた配信スケジューリング方式の提案
園田雅崇上野 仁小川 淳富士通研IN2016-19
近年現場で利用されるコンテンツのデジタル化,大容量化が進んでいる.利用者が現場でコンテンツをダウンロードする時間を短縮す... [more] IN2016-19
pp.7-12
VLD, CPSY, RECONF
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2016-01-21
11:20
神奈川 慶應義塾大学 日吉キャンパス フルシステムシミュレータによるソフトウェア定義型SSDのアーキテクチャ最適化
五木田 駿風間 哲柴田清己桑村慎哉吉田英司小川淳二富士通研VLD2015-103 CPSY2015-135 RECONF2015-85
近年,SSDのFTLをソフトウェアで実装することでNAND Flashデバイスの高並列制御を行うソフトウェア定義型SSD... [more] VLD2015-103 CPSY2015-135 RECONF2015-85
pp.197-202
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
13:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価
吉岡敏博小川淳史弓削政博松田時宜木村 睦龍谷大EID2015-15 SDM2015-98
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] EID2015-15 SDM2015-98
pp.27-30
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
14:00
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価
弓削政博小川淳史吉岡敏博加藤雄太松田時宜木村 睦龍谷大EID2015-16 SDM2015-99
薄膜トランジスタ動作する事が確認されたGaxSn1-xO(GTO)薄膜を、非真空プロセスであるミストCVD法によって、 ... [more] EID2015-16 SDM2015-99
pp.31-34
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
15:15
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価
小川淳史弓削政博吉岡敏博松田時宜木村 睦龍谷大EID2015-20 SDM2015-103
酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRF... [more] EID2015-20 SDM2015-103
pp.49-52
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
2015-10-08
10:00
千葉 幕張メッセ [ポスター講演]高並列アクセスを可能にする高性能ソフトウェア定義型SSDの開発
風間 哲柴田清己五木田 駿桑村慎哉吉田英司小川淳二富士通研CPSY2015-53
 [more] CPSY2015-53
p.45
ICD, SDM
(共催)
2006-08-17
16:10
北海道 北海道大学 25%のロッキングレンジを持つ20GHzインジェクションロックLC分周器
柴崎崇之慶大)・田村泰孝神田浩一山口久勝小川淳二富士通研)・黒田忠広慶大
 [more] SDM2006-138 ICD2006-92
pp.75-79
ICD 2006-05-26
16:15
兵庫 神戸大学 Resister-Transconductorハイブリッド回路を用いた20Gb/s同時双方向送受信回路
富田安基慶大)・田村泰孝木船雅也小川淳二後藤公太郎富士通研)・黒田忠広慶大
Resistor-Transconductor (R-gm)ハイブリッド回路を用いる事により20Gb/s同時双方向伝送を... [more] ICD2006-39
pp.101-104
ICD 2005-12-16
13:50
高知 高知工科大 A 0.8-1.3V 16-channel 2.5Gbps High-speed Serial Transceiver in a 90nm Standard CMOS Process
Yoshiyasu DoiFujitsu Labs.)・Syunitirou MasakiTakaya ChibaFujitsu)・Hirohito HigashiHisakatsu YamaguchiHideki TakauchiHideki IshidaFujitsu Labs.)・Kohtaroh GotohFujitsu)・Junji OgawaHirotaka TamuraFujitsu Labs.
本論文は、電源電圧が0.8から1.3Vで動作する、16チャネル 2.5Gbpsのシリアルトランシーバに関するものである。... [more] ICD2005-201
pp.55-60
VLD, ICD, DC, IPSJ-SLDM
(共催)
2005-11-30
14:40
福岡 北九州国際会議場 90nm標準CMOSプロセスを用いて試作した40Gb/s 4:1 MUX/1:4 DEMUX
神田浩一山崎大輔山本拓司堀中 実小川淳二田村泰孝小野寺裕幸富士通研
 [more] VLD2005-55 ICD2005-150 DC2005-32
pp.7-14
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