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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2024-02-29
13:45
山形 山形大学工学部
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜へのO添加の効果
山崎雄也鈴木裕史小林康之中澤日出樹弘前大CPM2023-105
高周波プラズマ化学気相成長法によりシリコン、窒素および酸素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(Si-N-O-DLC)... [more] CPM2023-105
pp.38-41
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2023-08-24
15:50
宮城 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]層状六方晶窒化ホウ素上の窒化物半導体成長とその応用
小林康之弘前大)・廣木正伸熊倉一英NTTR2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は,層間がファンデルワールス力により結合された六方晶系グラファイト構造の層状物質である.我々... [more] R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15
pp.42-44
CPM 2023-02-28
11:30
東京 東京工科大学 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
水素ガスを用いたマグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素薄膜の光起電力特性
西田竜也佐藤聖能小林康之遠田義晴中澤日出樹弘前大CPM2022-94
 [more] CPM2022-94
pp.35-38
CPM 2022-08-04
16:15
北海道 北見工業大学 マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素膜特性への水素ガスの効果
西田竜也谷口 颯佐藤聖能小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・吹留博一東北大)・中澤日出樹弘前大CPM2022-15
炭化ホウ素(B4C)ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタ法によりアモルファスB4C薄膜およびH2を導入して水素化ア... [more] CPM2022-15
pp.14-17
CPM 2021-10-27
13:20
ONLINE オンライン開催 プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH₂及びAr希釈の効果
佐々木祐弥長内公哉大谷優介室野優太佐藤聖能小林康之遠田義晴鈴木裕史中澤日出樹弘前大CPM2021-26
希釈ガスにAr及びH₂を用いたプラズマ化学気相成長法によりケイ素(Si)及び窒素(N)を添加したダイヤモンドライクカーボ... [more] CPM2021-26
pp.23-28
CPM 2020-10-29
15:10
ONLINE オンライン開催 マグネトロンスパッタ法を用いて作製したBCN膜特性への水素の効果
谷口 颯郡山春人小林康之遠田義晴弘前大)・吹留博一東北大)・中澤日出樹弘前大CPM2020-17
 [more] CPM2020-17
pp.23-26
CPM 2019-11-07
15:00
福井 福井大学 文京キャンパス 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果
長内公哉中村和樹郡山春人小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・末光眞希東北大)・中澤日出樹弘前大CPM2019-46
希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し、真空... [more] CPM2019-46
pp.9-14
CPM, IEE-MAG
(連催)
2018-11-02
14:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性
中澤日出樹中村和樹長内公哉郡山春人小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・末光眞希東北大CPM2018-52
希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si... [more] CPM2018-52
pp.99-104
CPM 2018-08-09
14:30
青森 弘前大学文京町地区キャンパス Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果
中村和樹大橋 遼弘前大)・横山 大田島圭一郎遠藤則史末光眞希東北大)・遠田義晴小林康之鈴木裕史・○中澤日出樹弘前大CPM2018-8
希釈ガスにH_2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態、電気的・光... [more] CPM2018-8
pp.1-6
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
10:25
大阪 大阪市立大学 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発
小林康之熊倉一英赤坂哲也山本秀樹牧本俊樹NTTED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94
窒化物半導体は、光エレクトロニクスやパワーエレクトロニクス等におけるデバイス応用に幅広く用いられている。GaNをベースと... [more] ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94
p.7
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