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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-06-21 15:10 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］TMD混晶の物性と新規低温CVD原料の探索 ○小椋厚志・横川 凌（明大/MREL）・若林 整（東工大）  SDM2022-28 |
[more] | SDM2022-28 pp.16-19 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-08 10:25 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | ［依頼講演］5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作 ○平本俊郎・更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研）・沼沢陽一郎（明大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・齋藤 渉（九大）・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・若林 整・筒井一生・岩井 洋（東工大）・小椋厚志（明大）・西澤伸一（九大）・大村一郎（九工大）・大橋弘通（東工大） SDM2019-42 ICD2019-7 |
[more] | SDM2019-42 ICD2019-7 pp.31-34 |
| SDM | 2019-01-29 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 ○更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研）・沼沢陽一郎（明大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子・齋藤 渉（東芝）・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・筒井一生・岩井 洋（東工大）・小椋厚志（明大）・西澤伸一（九大）・大村一郎（九工大）・大橋弘通（東工大）・平本俊郎（東大） SDM2018-90 |
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] | SDM2018-90 pp.39-44 |
| SDM | 2018-10-18 13:30 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ラマン分光法による熱電デバイス応用へ向けたSiナノワイヤのプロセス評価 ○横川 凌（明大）・富田基裕・渡邉孝信（早大）・小椋厚志（明大） SDM2018-61 |
Siナノワイヤ(SiNW)はバルクSiと比較して電気伝導率を維持しつつ熱伝導率が大幅に低下することから次世代熱電材料とし... [more] | SDM2018-61 pp.47-50 |
| SDM | 2017-10-26 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2017-57 |
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] | SDM2017-57 pp.39-44 |
| SDM | 2017-06-20 16:10 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | 硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化 ○松浦賢太朗・大橋 匠・宗田伊理也（東工大）・石原聖也（明大）・角嶋邦之・筒井一生（東工大）・小椋厚志（明大）・若林 整（東工大） |
[more] | |
| ED, SDM (共催) |
2017-02-24 16:45 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | 分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体のフォノン物性の再現と予測 ○富田基裕（早大/明大/学振）・小椋厚志（明大）・渡邉孝信（早大） ED2016-141 SDM2016-158 |
本研究ではSiGe、GeSnおよびSiSn混晶用原子間ポテンシャルを作成し、分子動力学(MD)法を用いてSiGe、GeS... [more] | ED2016-141 SDM2016-158 pp.61-66 |
| SDM | 2016-06-29 11:55 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・澤田朋実（物質・材料研究機構/JST）・栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・澤本直美（明大）・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2016-37 |
本研究では、原子層堆積法によって作製したZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ)多層絶縁膜を用いたTiN/ZAZ/Ti... [more] | SDM2016-37 pp.27-32 |
| SDM | 2016-06-29 16:40 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成 ○大橋 匠・松浦賢太朗（東工大）・石原聖也・日比野祐介・澤本直美（明大）・角嶋邦之・筒井一生（東工大）・小椋厚志（明大）・若林 整（東工大） SDM2016-46 |
層状構造を有するMoS2は薄膜領域において高移動度を有することから，柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Comp... [more] | SDM2016-46 pp.75-78 |
| SDM | 2015-06-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 ○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2015-51 |
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] | SDM2015-51 pp.69-73 |
| SDM | 2014-10-17 11:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | MOCVD法によるGeおよびGe1-xSnxのエピタキシャル成長 ○須田耕平・石原聖也・木嶋隆浩・澤本直美（明大）・町田英明・石川真人・須藤 弘（気相成長）・大下祥雄（豊田工大）・小椋厚志（明大） SDM2014-91 |
GeおよびGe1-xSnxは、高移動度トランジスタ、IV族光デバイス等への応用が期待されている。 我々は、t-C4H9... [more] |
SDM2014-91 pp.41-45 |
| SDM | 2013-10-18 10:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 ○池野成裕・永田晃基（明大）・陰地 宏・廣沢一郎（高輝度光科学研究センター）・小椋厚志（明大） SDM2013-94 |
SiO2/Si 構造における界面準位の議論は、トランジスタの設計において最も重要なパラメータの一つである。界面準位の評価... [more] | SDM2013-94 pp.33-36 |
| SDM | 2013-06-18 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制 ○小橋和義（明大）・長田貴弘・生田目俊秀・山下良之（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2013-48 |
Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている．しかしながら、high... [more] | SDM2013-48 pp.25-28 |
| SDM | 2012-10-25 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | 微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価 ○永田晃基・山口拓也・小椋厚志（明大）・小金澤智之・廣澤一郎（高輝度光科学研究センター）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大） SDM2012-91 |
SiO2薄膜の構造については、かねてより多角的な研究によりSiO2薄膜中にSi基板の結晶構造を反映した秩序が残留している... [more] | SDM2012-91 pp.11-14 |
| SDM | 2011-10-21 09:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価 ○武井宗久・橋口裕樹・山口拓也・小瀬村大亮（明大）・永田晃基（明大/学振）・小椋厚志（明大） SDM2011-104 |
歪技術はポストスケーリング時代のブースターテクノロジーとして実用化されている。しかし、その詳細なメカニズムおよび評価手法... [more] | SDM2011-104 pp.43-48 |
| SDM | 2010-10-21 14:00 |
宮城 | 東北大学 | ［招待講演］先端LSIにおけるチャネル歪評価 ○小椋厚志（明大）・小瀬村大亮（明大/学振）・武井宗久・富田基裕（明大） SDM2010-152 |
[more] | SDM2010-152 pp.1-6 |
| SDM | 2010-10-21 15:00 |
宮城 | 東北大学 | 液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価 ○小瀬村大亮（明大/学振）・小椋厚志（明大） SDM2010-153 |
ラマン分光法は、高い精度で応力が評価でき、比較的空間分解能も高く、非破壊の特徴を有する。このため、半導体デバイスの応力評... [more] | SDM2010-153 pp.7-12 |
| SDM | 2010-10-22 16:20 |
宮城 | 東北大学 | 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価 ○服部真季（明大）・小瀬村大亮（明大/学振）・武井宗久・永田晃基・赤松弘彬・富田基裕・水上雄輝・橋口裕樹・山口拓也・小椋厚志（明大）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大）・小金澤智之（高輝度光科学研究センター） SDM2010-170 |
原子スケールで平坦なSiO2/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために、ラマン分光法およびin-plane X線回折... [more] | SDM2010-170 pp.71-75 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 16:25 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価 ○柳 永勲・遠藤和彦・大内真一（産総研）・亀井貴弘（明大）・塚田順一・山内洋美・石川由紀（産総研）・林田哲郎（明大）・坂本邦博・松川 貴（産総研）・小椋厚志（明大）・昌原明植（産総研） SDM2010-151 ICD2010-66 |
ゲート長を20 nmまでスケーリングした微細FinFETにおけるしきい値電圧(Vt)のばらつきを系統的に評価し，結晶異方... [more] | SDM2010-151 ICD2010-66 pp.149-154 |
| SDM | 2008-06-10 09:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント ○清家 綾・丹下智之・佐野一拓・杉浦裕樹・土田育新・太田洋道・渡邉孝信（早大）・小瀬村大亮・小椋厚志（明大）・大泊 巌（早大） SDM2008-48 |
熱酸化膜起因の引っ張り歪を印加する事により、n型ナノワイヤFETs (n-nwFETs)、p型のナノワイヤFETs(p-... [more] | SDM2008-48 pp.35-39 |
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