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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2011-10-21
09:50
宮城 東北大学未来研 32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価
武井宗久橋口裕樹山口拓也小瀬村大亮明大)・永田晃基明大/学振)・小椋厚志明大SDM2011-104
歪技術はポストスケーリング時代のブースターテクノロジーとして実用化されている。しかし、その詳細なメカニズムおよび評価手法... [more] SDM2011-104
pp.43-48
SDM 2010-10-21
14:00
宮城 東北大学 [招待講演]先端LSIにおけるチャネル歪評価
小椋厚志明大)・小瀬村大亮明大/学振)・武井宗久富田基裕明大SDM2010-152
 [more] SDM2010-152
pp.1-6
SDM 2010-10-21
15:00
宮城 東北大学 液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価
小瀬村大亮明大/学振)・小椋厚志明大SDM2010-153
ラマン分光法は、高い精度で応力が評価でき、比較的空間分解能も高く、非破壊の特徴を有する。このため、半導体デバイスの応力評... [more] SDM2010-153
pp.7-12
SDM 2010-10-22
16:20
宮城 東北大学 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価
服部真季明大)・小瀬村大亮明大/学振)・武井宗久永田晃基赤松弘彬富田基裕水上雄輝橋口裕樹山口拓也小椋厚志明大)・諏訪智之寺本章伸服部健雄大見忠弘東北大)・小金澤智之高輝度光科学研究センターSDM2010-170
原子スケールで平坦なSiO2/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために、ラマン分光法およびin-plane X線回折... [more] SDM2010-170
pp.71-75
SDM 2008-06-10
09:30
東京 東京大学(生産研 An棟) 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント
清家 綾丹下智之佐野一拓杉浦裕樹土田育新太田洋道渡邉孝信早大)・小瀬村大亮小椋厚志明大)・大泊 巌早大SDM2008-48
熱酸化膜起因の引っ張り歪を印加する事により、n型ナノワイヤFETs (n-nwFETs)、p型のナノワイヤFETs(p-... [more] SDM2008-48
pp.35-39
SDM, OME
(共催)
2008-04-11
11:25
沖縄 沖縄県青年会館 UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価
掛村康人小瀬村大亮小椋厚志明大)・野口 隆琉球大SDM2008-6 OME2008-6
低温ポリシリコン(LTPS)薄膜はシステムオングラス実現のためのキーマテリアルである。我々は、高精度・高空間分解能をもつ... [more] SDM2008-6 OME2008-6
pp.27-32
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