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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED, CPM
(共催)
2019-05-16
15:25
静岡 静岡大学(浜松) [招待講演]シリコンにおける電子―電子散乱を用いたエレクトロン・ナノ・アスピレーター
小野行徳静岡大ED2019-15 CPM2019-6 SDM2019-13
エレクトロン・ナノ・アスピレーターは、T字型分岐を有するシリコン・ナノデバイスであり、電子の流体的性質を利用することによ... [more] ED2019-15 CPM2019-6 SDM2019-13
pp.25-28
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
17:05
北海道 北海道大学百年記念会館 Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング
渡邉時暢富山大)・堀 匡寛小野行徳静岡大ED2017-115 SDM2017-115
0.3-300Kの温度範囲においてSOI基板上に作製したゲート付p-i-nダイオードにチャージポンピング法を応用し,10... [more] ED2017-115 SDM2017-115
pp.51-56
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
10:25
北海道 北海道大学百年記念会館 Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング
渡辺時暢静岡大/富山大)・堀 匡寛・○小野行徳静岡大ED2016-131 SDM2016-148
チャージポンピング(CP)中の過渡電流をモニターする実時間CPをゲート付きsilicon-on-insulator(SO... [more] ED2016-131 SDM2016-148
pp.7-12
ED, SDM
(共催)
2016-03-03
16:20
北海道 北海道大学百年記念会館 シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング
渡辺時暢堀 匡寛小野行徳富山大ED2015-125 SDM2015-132
SOI基板上に作製したゲート付PINダイオードのチャージポンピング電流を7-300Kの温度範囲で測定し,100K以下の温... [more] ED2015-125 SDM2015-132
pp.23-26
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
14:40
北海道 北海道大学(百年記念会館) 実時間チャージポンピングの精度評価
渡辺時暢堀 匡寛富山大)・土屋敏章島根大)・小野行徳富山大ED2014-140 SDM2014-149
チャージポンピング(CP)はMOSFETの界面欠陥密度を評価するために用いられる手法である.CP法は周期的なパルスをゲー... [more] ED2014-140 SDM2014-149
pp.13-16
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
13:30
北海道 北海道大学 百年記念会館 [招待講演]Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象
品田賢宏堀 匡寛早大)・Filipo Guagliardoミラノ工科大)・小野行徳NTT)・熊谷国憲谷井孝至早大)・Enrico PratiCNRED2011-142 SDM2011-159
 [more] ED2011-142 SDM2011-159
pp.1-5
SDM, ED
(共催)
2009-02-26
14:10
北海道 北海道大学 マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性
宮崎康晶NTT/慶大)・小野行徳影島博之永瀬雅夫藤原 聡NTT)・太田英二慶大ED2008-225 SDM2008-217
 [more] ED2008-225 SDM2008-217
pp.7-11
SDM, ED
(共催)
2008-07-10
09:00
北海道 かでる2・7(札幌) 電界効果トランジスタを利用した単一電子エレクトロメータ
西口克彦チャーリー カクラン小野行徳藤原 聡猪川 洋山口浩司NTTED2008-62 SDM2008-81
 [more] ED2008-62 SDM2008-81
pp.119-124
ED, SDM
(共催)
2008-01-31
11:40
北海道 北海道大学 Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算機動作
開澤拓弥曹 民圭有田正志北大)・藤原 聡山崎謙治小野行徳NTT)・猪川 洋静岡大)・高橋庸夫北大ED2007-250 SDM2007-261
 [more] ED2007-250 SDM2007-261
pp.69-73
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
13:00
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 [招待講演]シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス
西口克彦小野行徳藤原 聡NTT)・猪川 洋静岡大)・高橋庸夫北大
シリコンMOSFETを利用した単一電子転送・検出を行なうデバイスを作製した.MOSFETゲートでチャネルのエネルギーバリ... [more]
SDM, ED
(共催)
2007-02-01
16:20
北海道 北海道大学 百年記念会館 Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス
開澤拓弥有田正志北大)・藤原 聡山崎謙治小野行徳NTT)・猪川 洋静岡大)・高橋庸夫北大
 [more] ED2006-246 SDM2006-234
pp.35-40
SDM, ED
(共催)
2007-02-02
13:20
北海道 北海道大学 百年記念会館 不規則系多重トンネル接合による単電子転送の時間制御
モラル ダニエル静岡大)・小野行徳NTT)・猪川 洋横井清人ラトノ ヌルヤディ池田浩也田部道晴静岡大
 [more] ED2006-255 SDM2006-243
pp.83-88
ED, SDM
(共催)
2006-01-26
15:30
北海道 北海道大学 百年記念会館 大会議室 [招待講演]MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 ~ SOIを用いた素子作製と特性評価 ~
西口克彦小野行徳藤原 聡猪川 洋NTT)・高橋庸夫北大
MOSFET技術で作製した室温で動作する単一電子転送素子と高感度電荷検出器の複合デバイスについて報告する。転送素子は直列... [more] ED2005-228 SDM2005-240
pp.23-28
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