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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2020-11-19 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | ［招待講演］裏面照射型CMOS撮像画素における近赤外線の像面位相差検出 ○國清辰也・佐藤英則・神野 健・飯塚康治・園田賢一郎・山下朋弘（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2020-26 |
裏面照射型CMOS撮像画素の受光面にGe-on-Si層を選択的に配置して，波長850 nmの入射光の像面位相差を検出する... [more] | SDM2020-26 pp.21-24 |
| SDM | 2020-02-07 09:35 |
東京 | 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室（419号室) (東京都) | ［招待講演］強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果 ○山口 直・前川径一・大原隆裕・天羽生 淳・佃 栄次・園田賢一郎・柳田博史・井上真雄・松浦正純・山下朋弘（ルネサス エレクトロニクス） SDM2019-89 |
[more] | SDM2019-89 pp.5-8 |
| SDM | 2018-10-17 14:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ (宮城県) | ［招待講演］次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山口泰男・山下朋弘（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-52 |
[more] | SDM2018-52 pp.1-5 |
| SDM | 2018-01-30 14:00 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［招待講演］16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-94 |
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる．FinFET SG-M... [more] | SDM2017-94 pp.13-16 |
| ICD | 2017-04-20 14:55 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［依頼講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） ICD2017-7 |
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構... [more] | ICD2017-7 pp.35-38 |
| SDM | 2017-01-30 13:30 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［招待講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） SDM2016-134 |
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構... [more] | SDM2016-134 pp.17-20 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-25 10:55 |
熊本 | 熊本市 (熊本県) | ［招待講演］high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS ○山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2015-67 ICD2015-36 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた超低リークアプリケー... [more] | SDM2015-67 ICD2015-36 pp.53-57 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 09:50 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） (北海道) | 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の統計的解析 ○水谷朋子（東大）・山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・平本俊郎（東大） SDM2014-72 ICD2014-41 |
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの最低動作電圧 (Vm... [more] | SDM2014-72 ICD2014-41 pp.55-58 |
| ICD | 2014-04-18 09:55 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［依頼講演］Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合）・水谷朋子・平本俊郎（東大） ICD2014-11 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] | ICD2014-11 pp.53-57 |
| SDM | 2009-12-04 13:00 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 (奈良県) | ［招待講演］High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性 西田征男（ルネサステクノロジ/広島大）・永久克己・清水昭博・山下朋弘・尾田秀一・井上靖朗（ルネサステクノロジ）・○芝原健太郎（広島大/ルネサステクノロジ） SDM2009-159 |
(事前公開アブストラクト) High-k/metal gate MOSFETについて昨年のIEDMでpoly-Si ga... [more] | SDM2009-159 pp.43-47 |
| SDM | 2008-10-10 13:00 |
宮城 | 東北大学 (宮城県) | B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性 ○川崎洋司・遠藤誠一・北澤雅志・丸山祥輝・山下朋弘・黒井 隆・吉村秀文・米田昌弘（ルネサステクノロジ） SDM2008-161 |
B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性を調べた。ミリ秒アニールとスパイクアニールのフローを持つPMOSFETにお... [more] | SDM2008-161 pp.37-40 |
| SDM | 2007-10-05 15:25 |
宮城 | 東北大学 (宮城県) | LSAとSpike-RTAの組合せによる極浅接合形成技術 ○遠藤誠一・丸山祥輝・川崎洋司・山下朋弘・尾田秀一・井上靖朗（ルネサステクノロジ） SDM2007-191 |
本報告では、複数のspike-RTAとLSAの組み合わせに対するBF2 source/drain-extention(S... [more] | SDM2007-191 pp.61-64 |
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