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 57件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2023-01-27
11:00
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
1入力広帯域GaN増幅器のバイアス依存性の測定評価
中川祐希加保貴奈湘南工科大)・坂田修一小松崎優治山中宏治三菱電機
 [more]
MW, ED
(共催)
2023-01-27
12:50
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討 ~ デバイスシミュレーション ~
諸隈奨吾佐賀大)・大塚友絢三菱電機)・○大石敏之佐賀大)・山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機
 [more]
MW, ED
(共催)
2023-01-27
15:25
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]シェアリング基地局用送信増幅器についての検討
山中宏治小松崎優治坂田修一齋木研人三菱電機)・加保貴奈湘南工科大
 [more]
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
14:35
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
低周波Y22パラメータ測定によるGaN HEMT中のFeトラップ評価
西田大生大石敏之佐賀大)・大塚友絢山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67
GaNを使った増幅器の性能向上に対する課題のひとつにトラップの性質解明がある.今回,回路設計と整合性の良い低周波$Y$パ... [more] ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67
pp.49-52
AP, MW
(併催)
2022-09-15
11:35
愛媛 愛媛県美術館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ベクトルトランシーバを用いた2入力GaN増幅器の広帯域測定の検討
鈴木貴登難波八尋加保貴奈湘南工科大)・坂田修一小松崎優治山中宏治三菱電機MW2022-75
4G/5Gの周波数をカバーする広帯域な2入力1出力の基地局用GaN増幅器を研究している.デジタル制御を利用して周波数帯域... [more] MW2022-75
pp.36-41
MW, WPT
(共催)
2022-04-15
15:40
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]GaNソフトスイッチング電源変調器を用いた3.6-4.0 GHz帯高効率エンベロープトラッキング増幅器
小松崎優治三菱電機)・サンドロ ランフランコタピオ コルモネンオリ ピイライネンジャルノ タンスカネンノキアベル研)・坂田修一三菱電機)・馬 瑞三菱電機リサーチラボラトリ)・新庄真太郎山中宏治三菱電機)・ピーター アズベックカリフォルニア大サンディエゴ校WPT2022-11 MW2022-11
通信量の劇的な増大を受け,移動通信基地局用増幅器にはピーク対平均電力比(PAPR)の大きい信号を高効率に増幅できること,... [more] WPT2022-11 MW2022-11
pp.40-45
MW 2022-03-03
14:25
ONLINE オンライン開催 ベクトルトランシーバを用いた2入力GaN増幅器の測定評価系の検討
森 悠輝鈴木貴登加保貴奈湘南工科大)・小松崎優治齋木研人山中宏治三菱電機MW2021-122
 [more] MW2021-122
pp.63-68
ED, MW
(共催)
2022-01-27
16:05
ONLINE オンライン開催 [招待講演]移動通信基地局向け広帯域負荷変調GaN増幅器
坂田修一小松崎優治齋木研人山中宏治津留正臣三菱電機ED2021-68 MW2021-110
近年、高速・大容量・同時多接続を特徴とする第5世代(5G)移動通信システムの商用サービスが開始され、さらにはその先のBe... [more] ED2021-68 MW2021-110
pp.32-37
MW 2021-12-16
14:50
神奈川 川崎市産業振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
広帯域GaN増幅器のマルチキャリア入力時の歪補償特性の評価
森 悠輝服部恒輝加保貴奈湘南工科大)・小松崎優治齋木研人山中宏治三菱電機MW2021-91
 [more] MW2021-91
pp.37-42
ED, MW
(共催)
2018-01-26
09:55
東京 機械振興会館地下3階研修2号室 UHF-C帯Si-GaN直列接続型超広帯域増幅器
桑田英悟川崎健吾津波大介前田和弘山中宏治三菱電機ED2017-98 MW2017-167
マイクロ波システムの高出力化,広帯域化の要求にこたえるため,マイクロ波増幅器へのGaN適用が進められている.更に近年では... [more] ED2017-98 MW2017-167
pp.25-29
MW 2017-11-09
14:20
沖縄 宮古島マリンターミナルビル GaAs出力整合回路を用いたX帯30W級GaN-on-Si MMIC増幅器
神岡 純河村由文中原和彦岡崎拓行半谷政毅山中宏治三菱電機MW2017-122
 [more] MW2017-122
pp.57-60
MW, EMCJ, EST
(共催)
IEE-EMC
(連催) [詳細]
2017-10-20
11:05
秋田 あきた芸術村 温泉ゆぽぽ バンケットホール紫苑 マイクロ波送電実用化に向けた5.8GHz帯高効率GaN増幅器
山中宏治弥政和宏半谷政毅内海博三西原 淳本間幸洋三菱電機)・佐々木謙治宇宙システム開発利用推進機構EMCJ2017-47 MW2017-99 EST2017-62
マイクロ波送電技術は宇宙太陽光発電や地上での遠距離無線電力伝送手段として注目されている.マイクロ波送電技術を実用化するに... [more] EMCJ2017-47 MW2017-99 EST2017-62
pp.117-122
MW, EMCJ, EST
(共催)
IEE-EMC
(連催) [詳細]
2017-10-20
16:40
秋田 あきた芸術村 温泉ゆぽぽ バンケットホール紫苑 マイクロ波小型加熱炉を用いた半導体発振器方式による一様加熱制御の検証実験
弥政和宏河村由文幸丸竜太山口裕太郎中谷圭吾塩出剛士山中宏治森 一富福本 宏三菱電機EMCJ2017-58 MW2017-110 EST2017-73
半導体発振器は,マグネトロンに代表される電子管に比べ,空間内における位相制御による電力合成が可能である.本稿では,位相制... [more] EMCJ2017-58 MW2017-110 EST2017-73
pp.171-175
AP, MW
(併催)
2017-09-22
14:25
埼玉 埼玉大学 MIM共振器型基本波高調波同時整合回路を適用したC-X帯20W級GaN MMIC高効率広帯域増幅器
桑田英悟・○二宮 大津波大介木村実人山中宏治三菱電機MW2017-76
 [more] MW2017-76
pp.47-52
MW, ED
(共催)
2017-01-27
11:20
東京 機械振興会館地下2階1号室 GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ
幸丸竜太半谷政毅中原和彦岡崎拓行山中宏治三菱電機ED2016-106 MW2016-182
GaN on Siを用いた低損失・高耐電力な特性を有するスイッチの試作結果について報告する. 本スイッチにはSi基板上に... [more] ED2016-106 MW2016-182
pp.53-56
MW, ED
(共催)
2017-01-27
13:00
東京 機械振興会館地下2階1号室 Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル
山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2016-107 MW2016-183
 [more] ED2016-107 MW2016-183
pp.57-62
MW, ED
(共催)
2017-01-27
13:25
東京 機械振興会館地下2階1号室 AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 ~ TCADシミュレーションによる検討 ~
大石敏之佐賀大)・山口裕太郎山中宏治三菱電機ED2016-108 MW2016-184
AlGaN上に形成された窒化膜保護膜(SiN)の残留応力が,GaN HEMTの電気的特性(ドレイン電流,ゲートリーク電流... [more] ED2016-108 MW2016-184
pp.63-68
MW, ED
(共催)
2017-01-27
14:00
東京 機械振興会館地下2階1号室 低コスト送信器向け小型8.5-10.5GHz GaN-on-Si MMIC増幅器
神岡 純半谷政毅中原和彦岡崎拓行山中宏治三菱電機ED2016-109 MW2016-185
 [more] ED2016-109 MW2016-185
pp.69-73
MW, ED
(共催)
2017-01-27
14:25
東京 機械振興会館地下2階1号室 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器
桑田英悟杉本篤夫小山英寿加茂宣卓幸丸竜太山中宏治三菱電機ED2016-110 MW2016-186
高周波半導体の高電圧化により高周波増幅器の高出力化が進められている.この高電圧半導体にマッチした,小型な回路でインピーダ... [more] ED2016-110 MW2016-186
pp.75-79
MW, ED
(共催)
2017-01-27
14:50
東京 機械振興会館地下2階1号室 ゲート長0.15um GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力/60% PAEのX帯GaN電力増幅器
河村由文半谷政毅水谷知大富山賢一山中宏治三菱電機ED2016-111 MW2016-187
短ゲート長(Lg=0.15 um)GaN HEMT を用いた30W級X帯GaN電力増幅器について報告する。本電力増幅器で... [more] ED2016-111 MW2016-187
pp.81-84
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