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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2020-01-28
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]Hf1-xZrxO2強誘電体トンネル接合を用いた強化学習 ~ ばらつき制御による性能向上 ~
太田健介山口まりなキオクシア)・ラドゥ ベルダン丸亀孝生西 義史東芝)・松尾和展高橋恒太神谷優太宮野信治出口 淳藤井章輔齋藤真澄キオクシアSDM2019-84
Hf1-xZrxO2を用いた強誘電体トンネル接合において、メモリ内演算による強化学習性能を最大化するための構造及び組成に... [more] SDM2019-84
p.9
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
13:25
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]テラビット大容量応用に向けたAgイオンメモリセルアレイ実証
市原玲華藤井章輔今野拓也山口まりな関 春海田中洋毅趙 丹丹吉村瑶子齋藤真澄小山正人東芝メモリSDM2019-50 ICD2019-15
テラビットクラスの大容量応用に有望なAgイオンメモリセルを開発し、クロスポイントアレイ動作を実証した。母材SiO2中に大... [more] SDM2019-50 ICD2019-15
pp.85-88
ICD 2017-04-21
13:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証
山口まりな藤井章輔上牟田雄一井野恒洋高石理一郎中崎 靖齋藤真澄東芝ICD2017-16
強誘電性を利用した不揮発性メモリ技術は広く普及しているものの,CMOS親和性の低い強誘電材料を用いることや,データ読み出... [more] ICD2017-16
pp.85-88
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