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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-06
16:00
京都 京都大学 SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価
山口哲生石田芳樹陳 晨萩原正宜林部林平山上朋彦阿部克也・○上村喜一信州大
 [more] ED2006-173 CPM2006-110 LQE2006-77
pp.113-116
CPM 2005-11-11
15:10
福井 福井大学 プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価
山口哲生劉 穎慎石田芳樹山上朋彦林部林平阿部克也上村喜一信州大
SiCのMOSデバイス応用において大きな問題となっている熱酸化膜中の炭素起因欠陥を抑制し,良質なMIS構造を形成すること... [more] CPM2005-156
pp.25-28
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