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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
13:30
ONLINE オンライン開催 顕微光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率のIn組成依存性測定
森 恵人高橋佑知森本悠也山口敦史金沢工大ED2021-20 CPM2021-54 LQE2021-32
InGaN量子井戸(QW)のキャリアダイナミクスの理解には,内部量子効率(IQE)を正確に評価する必要がある.
本研究... [more]
ED2021-20 CPM2021-54 LQE2021-32
pp.29-32
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
13:55
ONLINE オンライン開催 Ⅲ族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定
小笠原健太金沢工大)・坂井繁太奥村忠嗣難波江宏一ウシオ電機)・山口敦史金沢工大ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33
InGaNはInNとGaNの混晶であり,In組成を変化させることで理論上では可視光のあらゆる波長領域で発光可能な半導体材... [more] ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33
pp.33-36
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
14:35
ONLINE オンライン開催 ハイドライド気相成長法によってホモエピ成長された高純度GaN膜のフォトルミネッセンス評価
今城大渡山肥田 涼金森弘尚渡邊龍一金沢工大)・木村健司今野泰一郎藤倉序章サイオクス)・山口敦史金沢工大ED2021-22 CPM2021-56 LQE2021-34
GaNやその混晶の基礎材料物性は、完全には明らかにされていない。その要因として、完全な品質の結晶成長ができていないことが... [more] ED2021-22 CPM2021-56 LQE2021-34
pp.37-40
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
15:00
ONLINE オンライン開催 InGaN量子井戸におけるPLスペクトル温度変化の理論モデル解析
袴田舜也藤田貴志渡邊龍一山口敦史金沢工大ED2021-23 CPM2021-57 LQE2021-35
InGaN量子井戸は、In組成を変化させることで可視光全域の光を出すことができるが、緑色より長波長側では効率が落ちてしま... [more] ED2021-23 CPM2021-57 LQE2021-35
pp.41-44
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
10:05
ONLINE オンライン開催 光音響・発光同時計測法と積分球法によるInGaN量子井戸の内部・外部量子効率推定
森 恵人高橋佑知坂井繁太森本悠也山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニーED2020-1 CPM2020-22 LQE2020-52
我々はこれまでにInGaN量子井戸(QW)の内部量子効率(IQE)を正確に測定する手法として,光音響(PA)・発光(PL... [more] ED2020-1 CPM2020-22 LQE2020-52
pp.1-4
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
10:25
ONLINE オンライン開催 InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存性
山口拓海有賀恭介森 恵人山口敦史金沢工大ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53
窒化物半導体発光層の内部量子効率は, 発光強度の温度依存性の実験結果から見積もられることが多い. これは, 極低温におけ... [more] ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53
pp.5-8
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
14:00
静岡 静岡大学(浜松) InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討
藤田貴志坂井繁太池田優真山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニーED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99
InGaN混晶は、組成を変えることで理論上可視光域全域をカバー可能な半導体材料である。InGaN量子井戸における組成揺ら... [more] ED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99
pp.97-100
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
14:20
静岡 静岡大学(浜松) 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定
森 恵人高橋佑知森本悠也山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニーED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100
窒化物半導体の光学的性質を正しく理解するためには,まず内部量子効率(IQE: Internal Quantum Effi... [more] ED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100
pp.101-106
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
13:05
愛知 名古屋工業大学 InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討
藤田貴志坂井繁太池田優真山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニーED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102
InGaNはInNとGaNの混晶であり、組成を変えることでバンドギャップの調整ができる。InGaN量子井戸における組成揺... [more] ED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102
pp.75-78
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
13:30
愛知 名古屋工業大学 光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価
大島一輝池田優真坂井繁太山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニーED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103
InGaN量子井戸(QW)では、In組成揺らぎや井戸幅揺らぎに起因してポテンシャル揺らぎが顕著に現れる。これまでに、この... [more] ED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103
pp.79-82
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2018-01-26
09:30
静岡 静岡大学 浜松キャンパス Bi付活酸化物蛍光体における発光・非発光特性評価と高効率化への検討
佐久間洸輔下沖祐太吉本祐輝四日翔大深田晴己山口敦史金沢工大EID2017-40
UVからVIS領域で高い発光効率を有するBi付活酸化物蛍光体を開発するために,母体の結晶構造やBiの置換サイトに着目して... [more] EID2017-40
pp.61-64
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2018-01-26
09:40
静岡 静岡大学 浜松キャンパス ミストCVD法によるZnO薄膜の形成と発光特性
中田克弥菅野剛志齋藤嘉騎佐伯祥吾山路郷史深田晴己山口敦史金沢工大
 [more]
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
13:35
愛知 名古屋工業大学 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の測定
清水奈緒人高橋佑知小林玄季中納 隆坂井繁太山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニーED2017-49 CPM2017-92 LQE2017-62
 [more] ED2017-49 CPM2017-92 LQE2017-62
pp.1-6
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
14:00
愛知 名古屋工業大学 InGaN発光ダイオードの光励起時のI-V特性/発光特性のモデル解析
太田有亮坂井繁太山口敦史金沢工大ED2017-50 CPM2017-93 LQE2017-63
窒化物半導体LEDの活性層の電子状態やキャリアダイナミクスについての知見を得るために、LEDの光励起下での電流-電圧特性... [more] ED2017-50 CPM2017-93 LQE2017-63
pp.7-10
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
14:25
愛知 名古屋工業大学 InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析
池田優真坂井繁太大島一輝山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニーED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64
LEDやレーザダイオードの発光層として用いられるInGaN量子井戸において、PLピークエネルギーのS字型温度依存性(S-... [more] ED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64
pp.11-14
LQE 2016-12-16
11:40
東京 機械振興会館 [記念講演]光音響・発光同時計測及び時間分解発光計測による窒化物半導体の内部量子効率と輻射・非輻射再結合寿命の測定
河上航平中納 隆・○山口敦史金沢工大LQE2016-99
窒化物半導体の内部量子効率は、発光 (PL)強度の温度依存性から、極低温における内部量子効率を100%と仮定して、求めら... [more] LQE2016-99
pp.15-20
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
08:40
京都 京大桂キャンパス 半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上
松浦圭吾坂井繁太山口敦史金沢工大ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83
我々は、低コスト高性能緑色半導体レーザの実現に向け、へき開面を共振器ミラーとして利用した半極性面上InGaN量子井戸構造... [more] ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83
pp.51-54
SCE 2016-08-08
14:15
埼玉 埼玉大(大宮ソニックシティ) 原子核時計実現に向けたTESマイクロカロリメータの性能評価
前久景星林 佑村松はるか満田和久山崎典子JAXA)・山口敦史理研)・前畑京介九大SCE2016-19
我々は10 keV以下のX線帯域で高いエネルギー分解能を実現できるTES型マイクロカロリメータの開発を行ってきた。現在、... [more] SCE2016-19
pp.37-39
LQE 2015-12-18
09:50
東京 機械振興会館 窒化物半導体LEDの光取出し効率向上のための電磁界解析シミュレーション
尾崎 智山口敦史金沢工大)・後藤裕輝碓井 彰古河機械金属LQE2015-123
高出力用途の白色LED用の基板として、選択成長技術によって転位密度を低減したGaNテンプレート基板が注目されている。本報... [more] LQE2015-123
pp.1-4
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
15:30
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定
河上航平中納 隆山口敦史金沢工大ED2015-77 CPM2015-112 LQE2015-109
半導体の輻射・非輻射再結合寿命は、発光(PL)寿命とPL強度の温度変化から、極低温での内部量子効率(IQE)を100%と... [more] ED2015-77 CPM2015-112 LQE2015-109
pp.49-52
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