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 18件中 1~18件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2018-10-17
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山口泰男山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2018-52
 [more] SDM2018-52
pp.1-5
SDM 2018-01-30
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-94
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる.FinFET SG-M... [more] SDM2017-94
pp.13-16
SDM 2017-11-09
13:05
東京 機械振興会館 p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討
酒井 敦永久克己ルネサス エレクトロニクス)・藤井宏基森 隆弘ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング)・秋山 豊山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-63
BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため,信... [more] SDM2017-63
pp.11-14
ICD 2017-04-20
14:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS
津田是文川嶋祥之園田賢一郎吉冨敦司三原竜善鳴海俊一井上真雄村中誠志丸山隆弘山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・久本 大日立ICD2017-7
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製,動作について報告する.FinFET構... [more] ICD2017-7
pp.35-38
ICD 2017-04-20
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]車載用アプリケーションが求める混載Flash技術
中野全也伊藤 孝山内忠昭山口泰男河野隆司日高秀人ルネサス エレクトロニクスICD2017-8
低燃費エンジンおよびADAS(Advanced Driver Assistance System)の高性能化が進む中、車... [more] ICD2017-8
pp.39-44
SDM 2017-01-30
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS
津田是文川嶋祥之園田賢一郎吉冨敦司三原竜善鳴海俊一井上真雄村中誠志丸山隆弘山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・久本 大日立SDM2016-134
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製,動作について報告する.FinFET構... [more] SDM2016-134
pp.17-20
SDM 2016-10-26
15:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2016-71
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] SDM2016-71
pp.15-20
SDM 2016-10-26
16:10
宮城 東北大学未来研 [招待講演]基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作
山本芳樹槇山秀樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2016-72
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] SDM2016-72
pp.21-25
SDM 2015-11-06
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]界面準位が4H-SiC MOSFETのスイッチング動作に与える影響について
酒井 敦永久克己園田賢一郎ルネサス エレクトロニクス)・久田賢一新井耕一山本陽一ルネサス セミコンダクタ マニュファクチャリング)・谷沢元昭山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2015-91
 [more] SDM2015-91
pp.39-43
SDM, ICD
(共催)
2015-08-24
10:20
熊本 熊本市 半断線ビア抵抗を検出するためのスクライブライン搭載アレイTEG技術の開発
新川田裕樹坪井信生ルネサス エレクトロニクス)・津田淳史ルネサス システムデザイン)・佐藤伸吾関西大)・山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2015-58 ICD2015-27
量産段階での活用を目指した狭いスクライブライン領域に搭載可能なアレイTEGを開発した。HSD-S(High sensit... [more] SDM2015-58 ICD2015-27
pp.7-10
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
10:55
熊本 熊本市 [招待講演]high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS
山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・水谷朋子小林正治平本俊郎東大SDM2015-67 ICD2015-36
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた超低リークアプリケー... [more] SDM2015-67 ICD2015-36
pp.53-57
SDM 2014-10-17
14:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹尾田秀一蒲原史朗杉井信之山口泰男超低電圧デバイス技研組合)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2014-94
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] SDM2014-94
pp.61-68
ICD 2014-04-18
09:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作
山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗杉井信之山口泰男超低電圧デバイス技研組合)・水谷朋子平本俊郎東大ICD2014-11
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] ICD2014-11
pp.53-57
SDM 2014-01-29
14:40
東京 機械振興会館 [招待講演]P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制
槇山秀樹山本芳樹篠原博文岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大)・山口泰男超低電圧デバイス技研組合SDM2013-143
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧低減に有効である。しかし、超低電圧領域で... [more] SDM2013-143
pp.35-38
SDM 2013-11-14
14:15
東京 機械振興会館 窒化シリコン中の窒素空孔に導入された元素が電子トラップ準位に与える影響
園田賢一郎佃 栄次谷沢元昭石川清志山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2013-103
 [more] SDM2013-103
pp.21-26
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
13:00
北海道 札幌市男女共同参画センター [依頼講演]超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2012-68 ICD2012-36
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい.消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば... [more] SDM2012-68 ICD2012-36
pp.29-32
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
09:45
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大
低電力CMOSデバイスへの要求は今でも高い。消費電力効率の高い超低電圧動作CMOSが実現すると、ユビキタスセンサネットワ... [more]
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
14:35
北海道 北海道大学 65nm混載SRAMでの動作マージン改善回路
薮内 誠大林茂樹新居浩二塚本康正ルネサステクノロジ)・今岡 進ルネサスデザイン)・五十嵐元繁竹内雅彦川島 光牧野博之山口泰男塚本和宏犬石昌秀石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
 [more] SDM2006-151 ICD2006-105
pp.149-153
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