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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2016-08-09
15:25
東京 機械振興会館 フォノン導波路を用いた全機械的ランダムアクセスメモリの実証
畑中大樹マブーブ イムラン小野満恒二山口浩司NTTED2016-37
全機械的なフォノン信号処理システムの実現に向けて、フォノン導波路内に組み込んだ機械振動子の局所振動を用いた双安定メモリ動... [more] ED2016-37
pp.19-24
QIT
(第二種研究会)
2015-11-24
10:00
神奈川 NTT厚木研究開発センタ講堂 不安定系との結合による量子ビットのコヒーレンス時間の改善
松崎雄一郎X. Zhu角柳孝輔樋田 啓NTT)・下岡孝明水落憲和阪大)・根本香絵NII)・仙場浩一NICT)・W. J. Munro山口浩司齊藤志郎NTT
我々は、窒素・空孔(NV)中心のコヒーレンス時間を改善できる新しい手法を提案する。超伝導磁束量子ビットを単一のNV中心と... [more]
QIT
(第二種研究会)
2015-05-25
12:00
大阪 大阪大学 不均一広がりの影響下におけるスピン増幅
遠藤 傑慶大)・松崎雄一郎マンロ ウィリアム ジョン山口浩司齋藤志郎NTT
長寿命のqubitは一般的に他の系との相互作用が弱く、測定装置と相互作用しづらい傾向がある。このようなqubitに対して... [more]
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-21
16:20
北海道 小樽経済センター 高Q値MEMS共振器の高速振幅制御手法
岡本 創マブーブ イムラン小野満恒二山口浩司NTTR2014-33 EMD2014-38 CPM2014-53 OPE2014-63 LQE2014-37
高いQ値を有するMEMS共振器は高感度センサや低消費電力ロジックなど高性能・高機能な微小電気機械素子として注目される。し... [more] R2014-33 EMD2014-38 CPM2014-53 OPE2014-63 LQE2014-37
pp.55-58
ED 2014-08-01
16:15
東京 機械振興会館B3-1室 硬X線光電子分光によるGaAs表面の状態解析
斎藤吉広鶴見大輔飯原順次富永愛子米村卓巳山口浩司住友電工ED2014-61
電子デバイス用GaAs半導体の表面状態に関し、硬X線光電子分光(HAXPES)による分析を行った。特に、GaAs表面の酸... [more] ED2014-61
pp.47-50
SDM 2011-07-04
09:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成
影島博之日比野浩樹山口浩司NTT)・永瀬雅夫徳島大SDM2011-51
SiC(0001)面上のエピタキシャルグラフェンの成長機構について、第一原理計算を用いて検討した。界面グラフェン1層はバ... [more] SDM2011-51
pp.7-10
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
09:40
東京 東工大 大岡山キャンパス [基調講演]Challenge for electromechanical logic systems using compound semiconductor heterostructures
Hiroshi YamaguchiImran MahboobHajime OkamotoKoji OnomitsuNTTED2010-48 SDM2010-49
 [more] ED2010-48 SDM2010-49
pp.1-4
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
14:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]SiC上グラフェンの物性評価
永瀬雅夫日比野浩樹影島博之山口浩司NTTED2009-61 SDM2009-56
近年、グラフェンはその優れた電気的性質が注目を浴びている。SiC上にエピタキシャル成長が可能である熱成長グラフェンは、従... [more] ED2009-61 SDM2009-56
pp.47-52
SDM, ED
(共催)
2008-07-10
09:00
北海道 かでる2・7(札幌) 電界効果トランジスタを利用した単一電子エレクトロメータ
西口克彦チャーリー カクラン小野行徳藤原 聡猪川 洋山口浩司NTTED2008-62 SDM2008-81
 [more] ED2008-62 SDM2008-81
pp.119-124
OFT 2006-05-11
13:30
福岡 九州大学 A1共添加EDF中のEr周辺の局所構造解析
飯原順次春名徹也斎藤吉広山口浩司石川真二大西正志住友電工OFT2006-1
 [more] OFT2006-1
pp.1-4
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