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 46件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW 2024-06-14
10:10
東京 八丈町商工会
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
広帯域マルチキャリア通信対応Ka帯衛星通信用15W級高効率GaN MMIC増幅器
中谷圭吾山口裕太郎金谷 康平井暁人三菱電機
 [more]
ED, MW
(共催)
2024-01-25
14:50
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
低周波Yパラメータ(Y11、Y22)を利用したGaN HEMTのトラップ評価
大石敏之高田 栞佐賀大)・久樂 顕山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機ED2023-67 MW2023-159
 [more] ED2023-67 MW2023-159
pp.7-10
ED, MWPTHz
(共催)
2023-12-22
13:40
宮城 東北大・通研
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]ミリ波GaN増幅器向けデバイスモデリング技術
山口裕太郎新庄真太郎三菱電機)・宮本恭幸東工大ED2023-62 MWPTHz2023-72
 [more] ED2023-62 MWPTHz2023-72
pp.40-45
MW 2023-11-17
12:30
沖縄 名護市産業支援センター(沖縄)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
サブテラヘルツ帯GaN-HEMT向け高スケーリング精度を有する分布型モデル
山口裕太郎久樂 顕新庄真太郎山中宏治三菱電機)・宮本恭幸東工大MW2023-142
 [more] MW2023-142
pp.87-91
MW, AP
(併催)
2023-09-28
10:10
高知 高知城歴史博物館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
周波数選択性並列帰還回路を有する C-Ku 帯 GaN MMIC 低雑音増幅器
久樂 顕神岡 純桑田英悟山口裕太郎加茂宣卓新庄真太郎三菱電機MW2023-81
マイクロ波送受信モジュール向けのC-Ku帯広帯域GaN低雑音増幅器( LNA)について報告する.広帯域化と低雑音化を両立... [more] MW2023-81
pp.7-10
HWS, VLD
(共催)
2023-03-03
09:30
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
概略配線のための車の経路探索を模倣した引きはがし再配線手法の研究
山口裕介藤吉邦洋東京農工大VLD2022-100 HWS2022-71
LSIのレイアウト設計における配線は概略配線と詳細配線の2段階に分けて行われ,概略配線では配線容量以内で総配線長が短い配... [more] VLD2022-100 HWS2022-71
pp.143-148
MW, ED
(共催)
2023-01-27
12:50
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討 ~ デバイスシミュレーション ~
諸隈奨吾佐賀大)・大塚友絢三菱電機)・○大石敏之佐賀大)・山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機ED2022-91 MW2022-150
GaN HEMTの高周波やパワーエレクトロニクス分野への応用を考えた場合、Hz~MHz付近の低周波領域における特性改善が... [more] ED2022-91 MW2022-150
pp.29-32
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
14:35
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
低周波Y22パラメータ測定によるGaN HEMT中のFeトラップ評価
西田大生大石敏之佐賀大)・大塚友絢山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67
GaNを使った増幅器の性能向上に対する課題のひとつにトラップの性質解明がある.今回,回路設計と整合性の良い低周波$Y$パ... [more] ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67
pp.49-52
EMD, WPT, EMCJ, PEM
(併催)
2022-07-15
14:25
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
光トランシーバ用フレキブル基板上に形成したMSLのグラウンドに設けたスリットによる薄型化に関する検討
山口裕也青学大)・土屋明久KISTEC)・竹田昌弘稲見英治山下マテリアル)・菅間秀晃KISTEC)・橋本 修須賀良介青学大
5Gの開発やデータセンターの発展により,光通信の高速処理,機器の小型化が必要となり,フレキシブルプリント基板には低損失化... [more]
ED, MW
(共催)
2022-01-27
13:40
ONLINE オンライン開催 3次相互変調歪み周波数における負荷インピーダンスの増幅器特性への影響
桑田英悟山口裕太郎津留正臣三菱電機)・Johannes Benediktカーディフ大ED2021-63 MW2021-105
本報告では、新しいアクティブロードプル測定であるIMD3周波数でのロードプル測定系および測定結果について述べる。基本波や... [more] ED2021-63 MW2021-105
pp.7-11
MW 2021-11-18
13:05
鹿児島 鹿児島大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
スプリングプローブを用いた基板接続構造を有する4電力合成回路
西村拓真石橋秀則山口裕太郎長峯巧弥湯川秀憲深沢 徹稲沢良夫三菱電機MW2021-66
従来のSSPAには,大電力化のため,複数のMMICを基板上に並列にフリップチップ実装し,電力合成する方式がある.しかしな... [more] MW2021-66
pp.1-6
ED, MW
(共催)
2020-01-31
15:35
東京 機械振興会館 地下3階6号室 TCADを用いたGaN HEMTの低周波Sパラメータに対するバッファトラップと自己発熱の影響に関する解析
大塚友絢山口裕太郎新庄真太郎三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2019-103 MW2019-137
 [more] ED2019-103 MW2019-137
p.53
MW 2019-11-14
15:10
沖縄 南大東村多目的交流センター 広帯域段間整合回路を用いた比帯域15.6%出力15W級Ka帯GaN MMIC増幅器
中谷圭吾山口裕太郎半谷政毅新庄真太郎三菱電機MW2019-105
本報告では,0.15um GaN-HEMTを用いた比帯域15.6%出力15.5WのKa帯GaN MMIC増幅器の試作結果... [more] MW2019-105
pp.29-34
MW, ED
(共催)
2019-01-18
11:30
東京 日立中研 大電力RF-DC変換に向けたGaN HEMT/Siダイオードのカスコード接続回路の検討
浦田幸佑網代康佑佐賀大)・山口裕太郎大塚友絢新庄真太郎三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2018-83 MW2018-150
 [more] ED2018-83 MW2018-150
pp.75-78
MW 2018-11-15
10:50
長崎 福江文化会館 5G向けKa帯GaN高効率ドハティ増幅器MMIC
中谷圭吾山口裕太郎小松崎優治新庄真太郎三菱電機MW2018-94
 [more] MW2018-94
pp.13-18
EST, MW, OPE, MWP, EMT
(共催)
IEE-EMT, THz
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2018-07-19
15:25
北海道 洞爺観光ホテル Sパラメータ過渡応答測定を用いてトラップの非線形容量への影響を考慮したKa帯GaN大信号モデル
山口裕太郎大塚友絢半谷政毅新庄真太郎三菱電機)・大石敏之佐賀大EMT2018-30 MW2018-45 OPE2018-33 EST2018-28 MWP2018-29
 [more] EMT2018-30 MW2018-45 OPE2018-33 EST2018-28 MWP2018-29
pp.125-130
WPT 2018-03-02
15:50
京都 京都大学宇治キャンパス 303 GHz レクテナのジャイロトロンを用いた評価実験
皆川俊介溝尻 征嶋村耕平横田 茂筑波大)・斉藤輝雄立松芳典山口裕資福成雅史福井大WPT2017-76
303 GHzのレクテナを製作した.MSL型で入力電力342 mW, 負荷抵抗値130 Ωの時に,最大RF-DC変換効率... [more] WPT2017-76
pp.45-49
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2017-11-08
14:50
熊本 くまもと県民交流館パレア 相関多重サンプリング可能なグローバルシャッタCMOSイメージセンサ
山口裕之大高俊徳今井陽太郎浜本隆之東京理科大CPM2017-91 ICD2017-50 IE2017-76
 [more] CPM2017-91 ICD2017-50 IE2017-76
pp.57-62
MW, EMCJ, EST
(共催)
IEE-EMC
(連催) [詳細]
2017-10-20
16:40
秋田 あきた芸術村 温泉ゆぽぽ バンケットホール紫苑 マイクロ波小型加熱炉を用いた半導体発振器方式による一様加熱制御の検証実験
弥政和宏河村由文幸丸竜太山口裕太郎中谷圭吾塩出剛士山中宏治森 一富福本 宏三菱電機EMCJ2017-58 MW2017-110 EST2017-73
半導体発振器は,マグネトロンに代表される電子管に比べ,空間内における位相制御による電力合成が可能である.本稿では,位相制... [more] EMCJ2017-58 MW2017-110 EST2017-73
pp.171-175
MW, ED
(共催)
2017-01-27
13:00
東京 機械振興会館地下2階1号室 Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル
山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2016-107 MW2016-183
 [more] ED2016-107 MW2016-183
pp.57-62
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