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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2025-01-23 17:05 |
東京 | 深谷公民館・深谷生涯学習センター (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［特別講演］Si基板上GaN-HEMTにおける基板中のRFリーク電流を考慮した半物理大信号モデル ○山口裕太郎（三菱電機）・大石敏之（佐賀大）  ED2024-75 MW2024-161 |
[more] | ED2024-75 MW2024-161 pp.46-51 |
| MW, ED (共催) |
2025-01-24 10:25 |
東京 | 深谷公民館・深谷生涯学習センター (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaN HEMTの表面・GaNトラップが低周波Yパラメータのドレイン電圧依存性に与える影響（シミュレーション） ○大石敏之・金光温大（佐賀大）・久樂 顕・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機） ED2024-77 MW2024-163 |
窒化物半導体電子デバイスであるGaN HEMTにおいて、デバイス内部のトラップが大きな課題のひとつとなっている。今回、ト... [more] | ED2024-77 MW2024-163 pp.56-59 |
| MW | 2024-06-14 10:10 |
東京 | 八丈町商工会 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
広帯域マルチキャリア通信対応Ka帯衛星通信用15W級高効率GaN MMIC増幅器 ○中谷圭吾・山口裕太郎・金谷 康・平井暁人（三菱電機） MW2024-24 |
本報告では，広帯域マルチキャリアの衛星通信用に試作したKa帯15W級高効率GaN MMIC増幅器の試作結果を報告する．G... [more] | MW2024-24 pp.28-33 |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 14:50 |
東京 | 機械振興会館 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
低周波Yパラメータ（Y11、Y22）を利用したGaN HEMTのトラップ評価 ○大石敏之・高田 栞（佐賀大）・久樂 顕・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機） ED2023-67 MW2023-159 |
[more] | ED2023-67 MW2023-159 pp.7-10 |
| ED, MWPTHz (共催) |
2023-12-22 13:40 |
宮城 | 東北大・通研 (宮城県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］ミリ波GaN増幅器向けデバイスモデリング技術 ○山口裕太郎・新庄真太郎（三菱電機）・宮本恭幸（東工大） ED2023-62 MWPTHz2023-72 |
[more] | ED2023-62 MWPTHz2023-72 pp.40-45 |
| MW | 2023-11-17 12:30 |
沖縄 | 名護市産業支援センター（沖縄） (沖縄県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
サブテラヘルツ帯GaN-HEMT向け高スケーリング精度を有する分布型モデル ○山口裕太郎・久樂 顕・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・宮本恭幸（東工大） MW2023-142 |
[more] | MW2023-142 pp.87-91 |
| MW, AP (併催) |
2023-09-28 10:10 |
高知 | 高知城歴史博物館 (高知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
周波数選択性並列帰還回路を有する C-Ku 帯 GaN MMIC 低雑音増幅器 ○久樂 顕・神岡 純・桑田英悟・山口裕太郎・加茂宣卓・新庄真太郎（三菱電機） MW2023-81 |
マイクロ波送受信モジュール向けのC-Ku帯広帯域GaN低雑音増幅器( LNA)について報告する．広帯域化と低雑音化を両立... [more] | MW2023-81 pp.7-10 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 12:50 |
東京 | 機械振興会館 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討 ～ デバイスシミュレーション ～ 諸隈奨吾（佐賀大）・大塚友絢（三菱電機）・○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機） ED2022-91 MW2022-150 |
GaN HEMTの高周波やパワーエレクトロニクス分野への応用を考えた場合、Hz～MHz付近の低周波領域における特性改善が... [more] | ED2022-91 MW2022-150 pp.29-32 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 14:35 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） (愛知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
低周波Y22パラメータ測定によるGaN HEMT中のFeトラップ評価 ○西田大生・大石敏之（佐賀大）・大塚友絢・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機） ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67 |
GaNを使った増幅器の性能向上に対する課題のひとつにトラップの性質解明がある．今回，回路設計と整合性の良い低周波$Y$パ... [more] | ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67 pp.49-52 |
| ED, MW (共催) |
2022-01-27 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | 3次相互変調歪み周波数における負荷インピーダンスの増幅器特性への影響 ○桑田英悟・山口裕太郎・津留正臣（三菱電機）・Johannes Benedikt（カーディフ大） ED2021-63 MW2021-105 |
本報告では、新しいアクティブロードプル測定であるIMD3周波数でのロードプル測定系および測定結果について述べる。基本波や... [more] | ED2021-63 MW2021-105 pp.7-11 |
| MW | 2021-11-18 13:05 |
鹿児島 | 鹿児島大学 (鹿児島県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
スプリングプローブを用いた基板接続構造を有する4電力合成回路 ○西村拓真・石橋秀則・山口裕太郎・長峯巧弥・湯川秀憲・深沢 徹・稲沢良夫（三菱電機） MW2021-66 |
従来のSSPAには，大電力化のため，複数のMMICを基板上に並列にフリップチップ実装し，電力合成する方式がある．しかしな... [more] | MW2021-66 pp.1-6 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 15:35 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 (東京都) | TCADを用いたGaN HEMTの低周波Sパラメータに対するバッファトラップと自己発熱の影響に関する解析 ○大塚友絢・山口裕太郎・新庄真太郎（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） ED2019-103 MW2019-137 |
[more] | ED2019-103 MW2019-137 p.53 |
| MW | 2019-11-14 15:10 |
沖縄 | 南大東村多目的交流センター (沖縄県) | 広帯域段間整合回路を用いた比帯域15.6%出力15W級Ka帯GaN MMIC増幅器 ○中谷圭吾・山口裕太郎・半谷政毅・新庄真太郎（三菱電機） MW2019-105 |
本報告では，0.15um GaN-HEMTを用いた比帯域15.6%出力15.5WのKa帯GaN MMIC増幅器の試作結果... [more] | MW2019-105 pp.29-34 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-18 11:30 |
東京 | 日立中研 (東京都) | 大電力RF-DC変換に向けたGaN HEMT/Siダイオードのカスコード接続回路の検討 ○浦田幸佑・網代康佑（佐賀大）・山口裕太郎・大塚友絢・新庄真太郎（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） ED2018-83 MW2018-150 |
[more] | ED2018-83 MW2018-150 pp.75-78 |
| MW | 2018-11-15 10:50 |
長崎 | 福江文化会館 (長崎県) | 5G向けKa帯GaN高効率ドハティ増幅器MMIC ○中谷圭吾・山口裕太郎・小松崎優治・新庄真太郎（三菱電機） MW2018-94 |
[more] | MW2018-94 pp.13-18 |
| EST, MW, OPE, MWP, EMT (共催) IEE-EMT, THz (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2018-07-19 15:25 |
北海道 | 洞爺観光ホテル (北海道) | Sパラメータ過渡応答測定を用いてトラップの非線形容量への影響を考慮したKa帯GaN大信号モデル ○山口裕太郎・大塚友絢・半谷政毅・新庄真太郎（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） EMT2018-30 MW2018-45 OPE2018-33 EST2018-28 MWP2018-29 |
[more] | EMT2018-30 MW2018-45 OPE2018-33 EST2018-28 MWP2018-29 pp.125-130 |
| MW, EMCJ, EST (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2017-10-20 16:40 |
秋田 | あきた芸術村 温泉ゆぽぽ バンケットホール紫苑 (秋田県) | マイクロ波小型加熱炉を用いた半導体発振器方式による一様加熱制御の検証実験 ○弥政和宏・河村由文・幸丸竜太・山口裕太郎・中谷圭吾・塩出剛士・山中宏治・森 一富・福本 宏（三菱電機） EMCJ2017-58 MW2017-110 EST2017-73 |
半導体発振器は，マグネトロンに代表される電子管に比べ，空間内における位相制御による電力合成が可能である．本稿では，位相制... [more] | EMCJ2017-58 MW2017-110 EST2017-73 pp.171-175 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 13:00 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 (東京都) | Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル ○山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） ED2016-107 MW2016-183 |
[more] | ED2016-107 MW2016-183 pp.57-62 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 13:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 (東京都) | AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 ～ TCADシミュレーションによる検討 ～ ○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・山中宏治（三菱電機） ED2016-108 MW2016-184 |
AlGaN上に形成された窒化膜保護膜(SiN)の残留応力が，GaN HEMTの電気的特性(ドレイン電流，ゲートリーク電流... [more] | ED2016-108 MW2016-184 pp.63-68 |
| MW | 2016-11-17 14:30 |
佐賀 | 佐賀大学 (佐賀県) | 基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデル ○山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） MW2016-122 |
基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデルを提案する．提案モデルではバッファ... [more] | MW2016-122 pp.33-38 |
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