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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-01-29
13:45
東京 機械振興会館 [招待講演]HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作
宮田典幸産総研)・奈良 純山崎隆浩物質・材料研究機構)・住田杏子産総研)・佐野良介野平博司東京都市大SDM2018-87
1分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] SDM2018-87
pp.27-30
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
13:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 第一原理計算による多結晶酸化物薄膜の抵抗変化メカニズムの検討
森山拓洋肥田聡太鳥取大)・山崎隆浩大野隆央物質・材料研究機構)・岸田 悟木下健太郎鳥取大EID2016-18 SDM2016-99
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 金属酸化物(MO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である. 薄膜... [more] EID2016-18 SDM2016-99
pp.41-44
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
17:45
京都 京都大学 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ~ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ~
森山拓洋鳥取大)・山崎隆浩大野隆央物質・材料研究機構)・岸田 悟木下健太郎鳥取大EID2014-39 SDM2014-134
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 遷移金属酸化物(TMO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である.... [more] EID2014-39 SDM2014-134
pp.135-138
SDM 2013-12-13
15:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 第一原理分子動力学法を用いたConducting-Bridge Memory (CB-RAM)における金属拡散機構の解明
由良 翔鳥取大)・山崎隆浩物質・材料研究機構)・中田謙吾石井 晃鳥取大)・岸田 悟木下健太郎鳥取大/TEDREC
 [more]
SDM 2006-06-22
13:35
広島 広島大学, 学士会館 HfO2系ゲート絶縁膜の熱的安定性に対する窒素添加効果
高橋憲彦山崎隆浩金田千穂子富士通研
 [more] SDM2006-60
pp.103-106
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