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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OPE, OCS, LQE (共催) |
2022-10-21 11:05 |
愛媛 | 松山市民会館 小ホール (愛媛県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
分散制御したSi導波路を用いた広帯域な波長変換特性評価 ○岡田 峻・村中秀史・加藤智行・木村徳治・田中 有・山本剛之（富士通）・Isaac Sackey・Gregor Ronniger・Carsten Schmidt-Langhorst・Robert Elschner・Colja Schubert（HHI）・星田剛司（富士通）  OCS2022-31 OPE2022-77 LQE2022-40 |
将来ネットワークの伝送容量拡大に向けて複数波長帯を用いた広帯域伝送システムの検討が行われている．我々は波長変換技術を用い... [more] | OCS2022-31 OPE2022-77 LQE2022-40 pp.76-81 |
| QIT (第二種研究会) |
2015-11-24 11:40 |
神奈川 | NTT厚木研究開発センタ講堂 (神奈川県) | 可搬型冷凍機を用いた1.5μm 帯超高純度単一光子発生器 ○宮澤俊之（東大）・竹本一矢（富士通研）・南部芳弘（NEC）・三木茂人・山下太郎・寺井弘高・藤原幹生・佐々木雅英・佐久間芳樹（NICT）・高津 求・山本剛之（富士通研）・荒川泰彦（東大） |
単一光子発生器は量子情報技術の基本リソースとして重要である。しかし現状では最良の報告においてもg(2)(0)値が10-3... [more] | |
| LQE, OPE (共催) |
2015-06-19 15:15 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | スポットサイズ変換器集積GaAs基板上量子ドットレーザ ○植竹理人・高林和雅・木村徳治・山本剛之（富士通研）・山口正臣・高田 幹・武政敬三・菅原 充（QDレーザ）・荒川泰彦（東大） OPE2015-17 LQE2015-27 |
シリコン(Si)基板上への高密度な光集積を可能にするSiフォトニクス技術は、小型・大容量な光送受信器を実現する上で有望な... [more] | OPE2015-17 LQE2015-27 pp.35-38 |
| LQE, LSJ (共催) |
2015-05-21 14:35 |
石川 | 金沢能楽美術館 (石川県) | 1.3 um帯外部共振器型量子ドットレーザの4波長同時発振 ○安岡奈美（東大）・石田 充・高田 幹・山口正臣・竹本一矢・山本剛之（富士通研）・荒川泰彦（東大） LQE2015-4 |
[more] | LQE2015-4 pp.19-23 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 10:20 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 (大阪府) | Si基板上ハイブリッド集積光源の高温動作に向けた量子ドットレーザの適用 ○羽鳥伸明・清水隆徳（光電子融合基盤技研）・岡野 誠（産総研）・石坂政茂・山本剛之・賣野 豊（光電子融合基盤技研）・森 雅彦（産総研）・中村隆宏（光電子融合基盤技研）・荒川泰彦（東大） ED2014-86 CPM2014-143 LQE2014-114 |
[more] | ED2014-86 CPM2014-143 LQE2014-114 pp.63-68 |
| LQE, LSJ (共催) |
2014-05-22 14:25 |
福井 | 福井大学文京キャンパス (福井県) | 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送 ○松田 学・植竹理人・下山峰史・奥村滋一・高林和雅・江川 満・山本剛之（富士通研） LQE2014-3 |
半絶縁性 InP 基板上に作製した 1.3-μm 帯 AlGaInAs DR レーザアレイの 43 Gb/s 直接変調実... [more] | LQE2014-3 pp.9-13 |
| OPE, LQE, CPM, EMD, R (共催) |
2013-08-29 11:10 |
北海道 | サンリフレ函館 (北海道) | チップ間光インターコネクトに向けたSi基板上ハイブリッド集積光源の低消費電力動作実証 ○羽鳥伸明・清水隆徳（光電子融合基盤技研）・岡野 誠（産総研）・石坂政茂・山本剛之・賣野 豊（光電子融合基盤技研）・森 雅彦（産総研）・中村隆宏（光電子融合基盤技研）・荒川泰彦（東大） R2013-33 EMD2013-39 CPM2013-58 OPE2013-62 LQE2013-32 |
[more] | R2013-33 EMD2013-39 CPM2013-58 OPE2013-62 LQE2013-32 pp.25-30 |
| LQE | 2012-12-13 11:00 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調 ○下山峰史・松田 学・奥村滋一・植竹理人・江川 満・山本剛之（富士通研） LQE2012-124 |
AlGaInAs系高抵抗埋め込みDitributed Reflector（DR）レーザの高速直接変調動作を報告する。本レ... [more] | LQE2012-124 pp.15-18 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 15:35 |
大阪 | 大阪市立大学 (大阪府) | 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成 ○河口研一・中田義昭・江川 満・山本剛之（富士通研）・荒川泰彦（東大） ED2012-88 CPM2012-145 LQE2012-116 |
InP系ナノワイヤは、近赤外領域の微小光源構造体として応用が期待されている。我々は、光源に適したナノワイヤヘテロ構造実現... [more] | ED2012-88 CPM2012-145 LQE2012-116 pp.109-112 |
| LQE, LSJ (共催) |
2012-05-25 11:05 |
福井 | 福井大学文京キャンパス (福井県) | トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源 ○羽鳥伸明（光電子融合基盤技研/PECST）・岡野 誠（PECST/産総研）・石坂政茂・清水隆徳・山本剛之・賣野 豊（光電子融合基盤技研/PECST）・森 雅彦（PECST/産総研）・中村隆宏（光電子融合基盤技研/PECST）・荒川泰彦（PECST/東大） LQE2012-4 |
光電子融合システムの実現に向けて，ハイブリッド集積光源用として新しいトライデント型スポットサイズ変換器(SSC)を開発し... [more] | LQE2012-4 pp.15-20 |
| LQE | 2011-12-16 11:20 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | 高温（220℃）における1300 nm帯量子ドットレーザの連続発振 ○影山健生（QDレーザ）・西 研一（QDレーザ/東大）・山口正臣（富士通研）・持田励雄（QDレーザ/東大）・前多泰成・武政敬三（QDレーザ）・田中 有（富士通研）・山本剛之（QDレーザ/富士通研/東大）・菅原 充（QDレーザ/東大）・荒川泰彦（東大） LQE2011-126 |
高温環境下での半導体レーザ発振動作は，厳しい条件下（宇宙，地中）でのセンシング等実現のために重要であり、特に波長が長波長... [more] | LQE2011-126 pp.17-20 |
| LQE | 2011-12-16 15:55 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ ○鄭 錫煥・田中信介・関口茂昭・倉橋輝雄・羽鳥伸明・秋山 傑・臼杵達哉・山本剛之・田中 有・森戸 健（富士通研） LQE2011-132 |
CMOS電子回路と融合可能なシリコンフォトニクス光源は大容量の光インターコネクトの実現に向けて重要な構成要素である。我々... [more] | LQE2011-132 pp.43-47 |
| LQE | 2011-12-16 16:45 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源 ○清水隆徳・羽鳥伸明（光電子融合基盤技研）・岡野 誠（産総研）・石坂政茂・賣野 豊・山本剛之（光電子融合基盤技研）・森 雅彦（産総研）・中村隆宏（光電子融合基盤技研）・荒川泰彦（東大） LQE2011-134 |
チップ間光インターコネクションのために，狭ピッチLDアレイをSi細線導波路アレイプラットフォームにハイブリッド一括実装し... [more] | LQE2011-134 pp.55-60 |
| CPM, OPE, LQE, EMD (共催) |
2011-08-26 13:30 |
北海道 | 北海道大学 創成科学研究棟 ５階 大会議室 (北海道) | 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 ○高田 幹（東大）・田中 有（富士通研/QDレーザ）・松本 武（富士通研）・近藤勇人・持田励雄・前多泰成・山口正臣・影山健生・武政敬三・西 研一（QDレーザ）・中田義昭・山本剛之（富士通研/QDレーザ）・菅原 充（QDレーザ）・荒川泰彦（東大） EMD2011-53 CPM2011-97 OPE2011-88 LQE2011-51 |
光アクセス系で導入が進められている10G-EPONなどの次世代10ギガビット級PON (Passive Optical ... [more] | EMD2011-53 CPM2011-97 OPE2011-88 LQE2011-51 pp.109-112 |
| LQE | 2010-12-17 13:10 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［奨励講演］低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研） LQE2010-120 |
近年のデータ流通量の急激な増加に伴い，通信用光源のさらなる高速化への期待が高まっている．我々は、低消費電力な超高速直接変... [more] | LQE2010-120 pp.27-32 |
| OPE | 2010-12-17 18:20 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 (東京都) | カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器 ○秋山 傑（光電子融合基盤技研/PECST/富士通研）・倉橋輝雄（富士通研）・馬場 威・臼杵達哉・山本剛之（光電子融合基盤技研/PECST/富士通研） OPE2010-143 |
シリコン変調器の小型・低消費電力化に対して、光共振器の導入により、変調効率を高めることは有効な手段である。我々は、このよ... [more] | OPE2010-143 pp.65-70 |
| EMD, OPE, LQE, CPM (共催) |
2010-08-27 17:20 |
北海道 | 千歳アルカディアプラザ (北海道) | 高密度化による波長1.3um帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上 ○田中 有（富士通研/富士通/QDレーザ/光電子融合基盤技研）・高田 幹・石田 充（東大）・松本 武・宋 海智・江川 満（富士通研）・中田義昭（富士通研/QDレーザ）・山本剛之（富士通研/富士通/光電子融合基盤技研）・山口正臣・西 研一・菅原 充（QDレーザ）・荒川泰彦（東大） EMD2010-60 CPM2010-76 OPE2010-85 LQE2010-58 |
[more] | EMD2010-60 CPM2010-76 OPE2010-85 LQE2010-58 pp.157-162 |
| LQE | 2009-12-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 (東京都) | 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光協会/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光協会/富士通/富士通研） LQE2009-148 |
近年の急激な通信量の増加に伴い，直接変調レーザの高速動作への注目が高まっている．我々は、低消費電力の高速直接変調レーザの... [more] | LQE2009-148 pp.51-56 |
| LQE, OPE (共催) |
2009-06-19 17:10 |
東京 | 機械振興会館6階66号室 (東京都) | 波長1.3um帯InAs/GaAs量子ドットレーザ ～ 単一モード化、高速化の検討 ～ ○田中 有（富士通研/富士通/QDレーザ/光協会）・高田 幹・石田 充（東大）・前多泰成（QDレーザ）・松本 武・江川 満・宋 海智（富士通研）・山口正臣（QDレーザ）・中田義昭（富士通研/QDレーザ）・西 研一（QDレーザ）・山本剛之（富士通研/富士通/光協会）・菅原 充（富士通研/富士通/QDレーザ/光協会）・荒川泰彦（東大） OPE2009-29 LQE2009-32 |
[more] | OPE2009-29 LQE2009-32 pp.67-72 |
| IA | 2009-01-28 15:30 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | 光ネットワーク超低エネルギー化技術の研究開発 ○石川 浩・並木 周・工藤知宏・佐藤健一（産総研）・山本剛之（富士通研）・神野正彦（NTT）・八木 健（古河電工）・志賀代康（トリマティス） IA2008-56 |
近年、映像情報を中心として情報通信トラフィックが急激に増大している。今後、映像の高精細化に伴い、巨大な情報が増えていくと... [more] | IA2008-56 pp.49-52 |
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