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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-09 14:35 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | 極急峻SSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電力レクテナ ○山田拓弥・井田次郎・森 貴之・安丸暢彦・伊東健治（金沢工大）・石橋考一郎（電通大）  SDM2019-52 ICD2019-17 |
本報告では，我々の研究室で提案した急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied (PNBT) SOI-FE... [more] | SDM2019-52 ICD2019-17 pp.95-98 |
| WPT, MW (共催) |
2019-04-22 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | nW級1MHz帯レクテナ ○安丸暢彦・中西甲人・伊東健治・土本隼也・山田拓弥・森 貴之・井田次郎（金沢工大） WPT2019-8 MW2019-8 |
本報告ではAM放送波を用いる環境発電用nW級1MHz帯レクテナについて報告する．整流素子には，市販のSi SBD，40n... [more] | WPT2019-8 MW2019-8 pp.39-43 |
| SDM | 2018-11-09 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験 ○百瀬 駿・井田次郎・山田拓弥・森 貴之・伊東健治（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） SDM2018-76 |
生活環境下に存在するRF信号電力を利用するためには，高い電力変換効率を実現するRF整流器が必要である．RF整流器はµWも... [more] | SDM2018-76 pp.59-64 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-07 14:25 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | 急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験 ○百瀬 駿・井田次郎・山田拓弥・森 貴之・伊東健治（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） SDM2018-31 ICD2018-18 |
µW級の電力で機能する整流器を構築するためには，新たなダイオード技術の開発が必要である．従来のp-n接合ダイオード，ショ... [more] | SDM2018-31 ICD2018-18 pp.31-34 |
| MW (第二種研究会) |
2018-06-27 - 2018-06-29 |
海外 | KMITL（タイ・バンコク） | High Efficiency Rectenna Design with High Impedance Antenna and SOI-MOSFET Connected Diode for RF Energy Harvesting ○Yasunori Tsuchiya・Jiro Ida・Takayuki Mori・Takuya Yamada・Shun Momose・Keisuke Noguchi・Kenji Itoh（KIT） |
The rectification efficiency of the rectenna were simulated ... [more] | |
| MW (第二種研究会) |
2018-06-27 - 2018-06-29 |
海外 | KMITL（タイ・バンコク） | Rectification of Small Voltage Signal by Super Steep Subthreshold Slope "PN-Body Tied SOI FET" for RF Energy Harvesting ○Takuya Yamada・Jiro Ida・Takayuki Mori・Shun Momose・Yasunori Tsuchiya・Kenji Itoh（KIT）・Koichiro Ishibashi（UEC） |
Rectification of the small voltage signal was experimentally... [more] | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-02 11:35 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性 ○百瀬 駿・井田次郎・森 貴之・吉田貴大・岩田潤平・堀井隆史・古田貴大・山田拓弥・高松大地・伊東健治（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） SDM2017-45 ICD2017-33 |
新たに提案した極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied SOI FETを用いたGat... [more] | SDM2017-45 ICD2017-33 pp.109-114 |
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