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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2018-06-25
11:20
愛知 名古屋大学 VBL3F ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較
グェン スァン チュン名大)・○田岡紀之AIST-NU GaN-OIL)・大田晃生名大)・山田 永高橋言緒AIST-NU GaN-OIL)・池田弥央牧原克典名大)・清水三聡AIST-NU GaN-OIL)・宮崎誠一名大SDM2018-17
 [more] SDM2018-17
pp.5-9
SDM 2018-06-25
11:40
愛知 名古屋大学 VBL3F 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御
細井卓治山田高寛野崎幹人阪大)・高橋言諸山田 永清水三聡産総研)・吉越章隆原子力機構)・志村考功渡部平司阪大SDM2018-18
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] SDM2018-18
pp.11-14
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
12:30
愛知 名古屋工業大学 リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価
グェンスァン チュン名大)・田岡紀之産総研)・大田晃生名大)・山田 永高橋言緒産総研)・池田弥央牧原克典名大)・清水三聡産総研)・宮崎誠一名大ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74
SiH4とリモート酸素プラズマ用いたCVD(ROPE-CVD)によって形成したSiO2/GaN構造に対して、600から8... [more] ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74
pp.61-64
SDM 2010-06-22
14:10
東京 東京大学(生産研An棟) High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係
安田哲二宮田典幸卜部友二石井裕之板谷太郎前田辰郎産総研)・山田 永福原 昇秦 雅彦住友化学)・大竹晃浩物質・材料研究機構)・星井拓也横山正史竹中 充高木信一東大SDM2010-42
ゲート長が10 nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネル... [more] SDM2010-42
pp.49-54
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