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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2016-01-28 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例 ○新居浩二・薮内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・横山佳巧（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・岡垣 健・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・田中浩司・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2015-125 |
[more] | SDM2015-125 pp.21-25 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 15:50 |
熊本 | 熊本市 | 16nm FinFETの容量解析と性能・面積検討 ○岡垣 健・渋谷宏治・森本薫夫・塚本康正・新居浩二・小野沢和徳（REL） SDM2015-64 ICD2015-33 |
[more] | SDM2015-64 ICD2015-33 pp.37-40 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 13:55 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | プローブ圧力によるトランジスタ特性変動評価と圧力抽出手法 ○岡垣 健・長谷川拓実・高篠裕行・藤井理子・津田敦志・渋谷宏治・出口善宣・横田美穂・小野沢和徳（ルネサス エレクトロニクス） SDM2014-77 ICD2014-46 |
[more] | SDM2014-77 ICD2014-46 pp.83-86 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | <110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響 ○高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・佃 栄次・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ） VLD2007-57 SDM2007-201 |
電子の有効ハミルトニアンから剪断歪みと量子閉じ込め現象を取り込んだモデルを提 案。曲げ実験から65nmノードのストレス... [more] |
VLD2007-57 SDM2007-201 pp.33-36 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証 ○佃 栄次（ルネサステクノロジ）・鎌倉良成（阪大）・高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ）・谷口研二（阪大） VLD2007-59 SDM2007-203 |
本研究では、フル3D プロセスシミュレーターによる応力計算と反転層のサブバンドを考慮したkp 法にもとづくバンド計算から... [more] | VLD2007-59 SDM2007-203 pp.43-46 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について ○永久克己・岡垣 健・谷沢元昭・石川清志・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
コンパクトモデルパラメータ抽出を含む新しいワーストモデル生成手法を提案する。本手法によれば、開発早期段階においてコンカレ... [more] | VLD2006-41 SDM2006-162 pp.13-18 |
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