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 22件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2025-01-24
14:20
東京 深谷公民館・深谷生涯学習センター
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]100 GHz帯1 W級パワーアンプ向けGaN系HEMTの開発
尾崎史朗熊崎祐介中舍安宏岡本直哉原 直紀多木俊裕富士通
 [more]
ED, CPM, LQE
(共催)
2024-11-29
16:20
愛知 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) 水蒸気酸化ALD-Al2O3によるInP系MOS-HEMTの性能向上
尾崎史朗熊崎祐介岡本直哉中舍安宏多木俊裕原 直紀富士通ED2024-38 CPM2024-82 LQE2024-69
次世代無線通信に向けた高周波用途の絶縁ゲート型高電子移動度トランジスタ(HEMT: High Electron Mobi... [more] ED2024-38 CPM2024-82 LQE2024-69
pp.73-78
AP
(第二種研究会)
2024-08-05
15:15
東京 小笠原ビジターセンター(小笠原村父島) マイクロストリップラインベンドの幾何形状による透過位相の近似評価 ~ 任意のベンド角の最適形状とベンドによる位相変化 ~
耳野 裕平野拓一東京都市大)・岡本直哉尾崎史朗原 直紀富士通
遅延線路に用いるマイクロストリップラインベンドについて任意の角度に対して反射損失を最小とする形状および位相変化量を与える... [more]
AP, SANE, SAT
(併催)
2024-07-24
10:00
北海道 北海道大学フロンティア応用科学研究棟
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
サブテラヘルツ帯無線通信に向けた導波管アレイアンテナモジュール
尾崎史朗富士通)・平野拓一東京都市大)・岡本直哉中舍安宏多木俊裕原 直紀富士通AP2024-21
サブテラヘルツ帯無線通信に向けたアレイアンテナモジュールの実現に向けて、1波長未満のアンテナピッチ制御による不要放射(グ... [more] AP2024-21
pp.1-4
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
14:20
静岡 アクトシティ浜松 ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術
尾崎史朗熊崎祐介岡本直哉中舍安宏多木俊裕原 直紀富士通ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57
高周波デバイスに適用可能な原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)-Al2O3絶縁ゲート構造... [more] ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57
pp.15-20
ED, MWPTHz
(共催)
2022-12-19
14:45
宮城 東北大学・電気通信研究所 [招待講演]GaAsSb/InGaAsバックワードダイオードを集積した300GHz帯ゼロバイアス検波レクテナ
須原理彦臼居克紘都立大)・浅川澄人都立産技高専)・河口研一高橋 剛佐藤 優岡本直哉富士通ED2022-74 MWPTHz2022-45
本発表ではGaAsSb-InGaAs バックワードダイオード(BWD)を用いた300GHz帯ゼロバイアス検波レクテナにつ... [more] ED2022-74 MWPTHz2022-45
pp.15-18
ED, THz
(共催)
2021-12-20
14:20
宮城 東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ボウタイアンテナとバックワードダイオードを集積した300GHz帯レクテナの作製・評価とモデリング
木村拓海須原理彦臼居克紘若山潤輝都立大)・浅川澄人都立産技高専)・河口研一高橋 剛佐藤 優岡本直哉富士通研ED2021-50
 [more] ED2021-50
pp.10-15
MW, ED
(共催)
2021-01-29
14:25
ONLINE オンライン開催 界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化
熊崎祐介多木俊裕小谷淳二尾崎史朗富士通/富士通研)・新井田佳孝富士通研)・美濃浦優一富士通/富士通研)・西森理人富士通)・岡本直哉富士通/富士通研)・佐藤 優中村哲一富士通研)・渡部慶二富士通/富士通研ED2020-34 MW2020-87
 [more] ED2020-34 MW2020-87
pp.34-37
MW, ED
(共催)
2019-01-17
15:00
東京 日立中研 ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上
熊崎祐介尾崎史朗美濃浦優一牧山剛三多木俊裕岡本直哉中村哲一富士通研ED2018-77 MW2018-144
InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として,オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入す... [more] ED2018-77 MW2018-144
pp.51-54
MW, ED
(共催)
2017-01-26
14:50
東京 機械振興会館地下2階1号室 [依頼講演]ミリ波GaN HEMTの現状
牧山剛三新井田佳孝尾崎史朗多木俊裕岡本直哉美濃浦優一佐藤 優鎌田陽一常信和清渡部慶二富士通)・宮本泰幸東工大ED2016-98 MW2016-174
 [more] ED2016-98 MW2016-174
pp.13-16
MW, ED
(共催)
2017-01-27
09:30
東京 機械振興会館地下2階1号室 ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善
高橋 剛佐藤 優芝 祥一中舍安宏原 直紀岩井大介岡本直哉渡部慶二富士通研ED2016-102 MW2016-178
ミリ波およびテラヘルツ波の高感度検波器として、p+-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsヘテロ接合バックワー... [more] ED2016-102 MW2016-178
pp.29-33
ED 2016-07-23
14:00
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT
尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉常信和清富士通研ED2016-27
 [more] ED2016-27
pp.1-4
ED 2015-07-24
14:05
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング
美濃浦優一岡本直哉多木俊裕尾崎史朗牧山剛三鎌田陽一渡部慶二富士通研ED2015-38
 [more] ED2015-38
pp.9-13
MW, ED
(共催)
2015-01-16
10:40
東京 機械振興会館 X-Ku帯高効率GaN HEMT増幅器MMICの開発
新井田佳孝鎌田陽一多木俊裕尾崎史朗牧山剛三岡本直哉佐藤 優増田 哲渡部慶二富士通研ED2014-127 MW2014-191
 [more] ED2014-127 MW2014-191
pp.59-63
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
13:15
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制
尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉増田 哲常信和清富士通ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118
ミリ波帯GaN高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor:HEMT)の... [more] ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118
pp.81-84
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
15:50
大阪 大阪市立大学 原子層堆積Al2O3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減
尾崎史朗多木俊裕金村雅仁今田忠紘中村哲一岡本直哉宮島豊生吉川俊英富士通研ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103
高効率スイッチング素子等、電源用途で使用される絶縁ゲート型窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT:Hi... [more] ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103
pp.41-44
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
16:50
大阪 阪大 中ノ島センター ミリ波高出力GaN-HEMT
牧山剛三多木俊裕岡本直哉金村雅仁増田 哲中舍安宏常信和清今西健治富士通/富士通研)・原 直紀尾崎史朗中村哲一富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109
 [more] ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109
pp.51-54
MW 2009-09-25
15:15
東京 電通大 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
重松寿生井上雄介赤瀬川章彦増田 哲山田全男金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英常信和清原 直紀富士通研MW2009-86
本論文では0.25 um GaN-HEMTを用いた超100 W出力のX帯高出力増幅器および0.8 um GaN-HEMT... [more] MW2009-86
pp.73-78
MW, ED
(共催)
2009-01-16
09:30
東京 機械振興会館 C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器
重松寿生井上雄介増田 哲山田全男金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英常信和清原 直紀富士通研ED2008-218 MW2008-183
 [more] ED2008-218 MW2008-183
pp.113-118
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
13:55
愛知 名古屋工業大学 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器
多木俊裕吉川俊英金村雅仁今西健治牧山剛三岡本直哉常信和清原 直紀富士通/富士通研ED2008-178 CPM2008-127 LQE2008-122
 [more] ED2008-178 CPM2008-127 LQE2008-122
pp.131-136
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