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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2008-01-17 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | p+-GaAs ゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC ○播磨史生・尾藤康則・高橋英匡・岩田直高（NECエレクトロニクス）  ED2007-221 MW2007-152 |
Bluetooth Class 1 向けに1.8 Vと低電圧で動作するPAICを開発した． p+-GaAs再成長ゲート構... [more] | ED2007-221 MW2007-152 pp.83-86 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ ○竹中 功・石倉幸治・高橋英匡・長谷川浩一・上田 隆・栗原俊道・麻埜和則・岩田直高（NECエレクトロニクス） |
携帯電話基地局向けに低歪ドハティ高出力増幅器を開発した。本増幅器は28V動作の150W GaAs ヘテロ接合FETにより... [more] | ED2006-227 MW2006-180 pp.149-154 |
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