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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 14:10 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） (愛知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
様々な結晶面を利用したInGaN系ナノコラム結晶の成長と発光デバイス応用 ○山田純平・水野 愛・富樫理恵・野村一郎・岸野克巳（上智大）  ED2022-46 CPM2022-71 LQE2022-79 |
本研究では、様々な面方位を用いたInGaN系ナノコラム結晶の成長とそれを用いたナノコラムμ-LEDの作製に関して検討しま... [more] | ED2022-46 CPM2022-71 LQE2022-79 pp.99-102 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2016-01-29 10:20 |
富山 | 富山大学 (富山県) | AlGaNナノリングによるバイオセンシング動作 ○武島歩志・光野徹也・鈴木 翔（静岡大）・酒井 優（山梨大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2015-36 |
[more] | EID2015-36 pp.89-91 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 14:15 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 (愛知県) | 分子線エピタキシー法により成長したInGaNナノプレートの光学特性 ○光野徹也（静岡大）・酒井 優（山梨大）・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21 |
直径50-200 nm、高さ1500 nmのGaNナノ支柱状結晶上に直径が200-800 nm程度で厚さが50 nmの極... [more] | ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21 pp.17-19 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2015-01-23 11:02 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 (京都府) | トップダウンによる三角形状GaNマイクロディスクの光学特性に関する検討 ○鈴木 翔・光野徹也（静岡大）・酒井 優（山梨大）・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2014-53 |
一辺1.5 umから4.4 um、高さ1.2 um程度の三角形状GaNマイクロディスクを三角格子状に配列したマイクロディ... [more] | EID2014-53 pp.103-105 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2015-01-23 11:10 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 (京都府) | 六角形状GaNマイクロディスクレーザの光放射特性の検討 ○光野徹也・鈴木 翔（静岡大）・酒井 優（山梨大）・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2014-54 |
六角形状GaNマイクロディスクとは一辺が1.5um、厚さ250nm程度の高品質GaN結晶である。本構造はウィスパリングモ... [more] | EID2014-54 pp.107-109 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 16:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 (大阪府) | スパッタ膜上への窒化物単結晶pinナノコラム作製 ○野間友博・林 宏暁・福島大史・今野裕太・野村一郎・岸野克巳（上智大） ED2014-97 CPM2014-154 LQE2014-125 |
紫外から赤外に亘るバンドギャップエンジニアリングが可能な窒化物は魅力的な材料である．しかしながら，含有欠陥の多さからその... [more] | ED2014-97 CPM2014-154 LQE2014-125 pp.117-120 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-24 14:26 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス (新潟県) | トップダウンによる六角形状GaNマイクロディスクアレイからの光励起発振 ○鈴木 翔・光野徹也（静岡大）・山野晃司・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2013-15 |
電子線描画と反応性イオンエッチングにより、GaN薄膜を微細加工することで、一辺1.5 um、高さ900 nm程度の六角形... [more] | EID2013-15 pp.29-31 |
| ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) |
2013-01-24 13:30 |
静岡 | 静岡大学 (静岡県) | 六角形状GaNマイクロディスク結晶における光共振機構の検証 ○光野徹也（静岡大）・酒井 優（山梨大）・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2012-14 |
1辺の長さが1から2マイクロメートル程度の六角形状GaNマイクロディスク結晶の光共振機構について有限時間領域差分法による... [more] | EID2012-14 pp.1-3 |
| OPE, LQE (共催) EMD, CPM, OME (共催) (併催) [詳細] |
2012-06-22 15:15 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［招待講演］緑色半導体レーザの進展 ○岸野克巳（上智大） OPE2012-17 LQE2012-21 |
[more] | OPE2012-17 LQE2012-21 pp.39-44 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 15:05 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール (京都府) | 近赤外1.46um発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 ○神村淳平・岸野克巳・神山幸一・菊池昭彦（上智大） ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 |
規則配列GaNナノコラムを貫通転位を含まない高品質テンプレートとして用い、活性層に高In組成InGaN、p型層にMgドー... [more] | ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 pp.127-130 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 10:25 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） (徳島県) | Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長 ○神村淳平・岸野克巳・菊池昭彦（上智大/JST） ED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110 |
[more] | ED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110 pp.13-18 |
| LQE | 2008-12-12 15:10 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 (東京都) | 緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓 ○野村一郎・岸野克巳・蛯沢智也・櫛田 俊・田才邦彦・中村 均・朝妻庸紀・中島 博（上智大） LQE2008-138 |
InP基板上のMgZnCdSe、BeZnTe、BeZnSeTe?-?族半導体は可視光中域、特に緑色発光素子材料として有望... [more] | LQE2008-138 pp.53-58 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 09:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 (愛知県) | RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製 ○関口寛人・菊池昭彦・岸野克巳（上智大） ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 |
GaNナノコラムは結晶中に貫通転位を含まず優れた発光特性を有する。我々は可視全域で発光するInGaN/GaN量子井戸ナノ... [more] | ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 pp.1-6 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 09:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 (愛知県) | GaNナノコラムにおけるランダムレージング ○酒井 優・岸野克巳・菊池昭彦・関口寛人（上智大/JST）・猪瀬裕太（上智大）・江馬一弘・大槻東巳（上智大/JST） ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 |
GaNナノコラムは、自己組織的に成長する直径100nｍ程度、高さ1$\mu$m程度の柱状結晶で、貫通転移を含まないことか... [more] | ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 pp.7-12 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 13:55 |
福井 | 福井大学 (福井県) | RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価 ○関口寛人（上智大/JST）・加藤 圭・田中 譲（上智大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST） ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 |
GaN ナノコラムは直径100nm 程度の互いに独立した柱状結晶で、結晶中に貫通転位を含まないため優れた発光特性を有する... [more] | ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59 pp.13-17 |
| LQE, OPE (共催) |
2007-06-29 14:00 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移 ○田中海一・幾野敬太・葛西洋平・福永和哉（上智大）・欅田英之・江馬一弘・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST） OPE2007-22 LQE2007-23 |
通信波長帯でのサブバンド間遷移（Intersubband transition：ISBT）は、LOフォノン放出により超高... [more] | OPE2007-22 LQE2007-23 pp.29-33 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 10:20 |
京都 | 京都大学 (京都府) | Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製 ○内田裕行（上智大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST） |
GaN/AlN多重量子構造によるサブバンド間遷移(Intersubbabnd transition：ISBT)はフェムト... [more] | ED2006-163 CPM2006-100 LQE2006-67 pp.63-67 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 11:00 |
滋賀 | 立命館大学 (滋賀県) | RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価 ○大橋達男・石沢峻介・Petter Holmström・菊池昭彦・岸野克巳（上智大） |
[more] | ED2005-122 CPM2005-109 LQE2005-49 pp.17-21 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-14 14:50 |
滋賀 | 立命館大学 (滋賀県) | ＲＦ分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価 ○菊池昭彦・多田 誠・岸野克巳（上智大） |
[more] | ED2005-152 CPM2005-139 LQE2005-79 pp.61-65 |
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