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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2023-12-08
10:25
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) GOS構造電子源の光支援電子放出特性
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2023-49
原子層物質であるグラフェンは、電子の透過性に優れた特性を有すると共に、可視~遠赤外領域での光の透過性にも優れた特性を有す... [more] ED2023-49
pp.43-44
ED 2022-12-09
15:35
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) (愛知県) ナノ結晶シリコンを用いた平面型電子源からの電子放出特性
嶋脇秀隆八戸工大)・村田博雅長尾昌善村上勝久産総研ED2022-68
 [more] ED2022-68
pp.59-61
EA, EMM
(共催)
2019-11-23
14:10
石川 金沢工業大学 扇が丘キャンパス(野々市市) (石川県) ローカルテンポ推定のための短区間内ビート数の判定に関する検討
桶本まどか八戸工大)・三浦雅展国立音大)・嶋脇秀隆八戸工大
 [more]
ED 2017-10-26
13:55
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 (宮城県) シリコンフィールドエミッタアレイのレーザ支援電界電子放射特性
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・高井幹夫阪大ED2017-37
p型半導体エミッタは、金属エミッタと異なり、光感受性に優れるため、バンドギャップ以上の低エネルギーレーザを用いて短パルス... [more] ED2017-37
pp.5-8
ED 2016-10-25
14:40
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) (三重県) シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価(その2)
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2016-46
p型シリコンフィールドエミッタにバンドギャップ以上の光を照射するとエミッション電流が増大する。この特性を利用すると光パル... [more] ED2016-46
pp.13-15
ED 2015-10-23
11:25
愛知 名城大学名駅サテライト(MSAT) (愛知県) シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2015-66
 [more] ED2015-66
pp.61-64
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