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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 10:55 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］TFET（トンネルトランジスタ）のコンパクトモデル実装と超低消費電力回路応用検討 ○田中千加・外園 明・安達甘奈・後藤正和・近藤佳之・杉崎絵美子・藤松基彦・原 浩幸・宮野信治・櫛田桂一・川中 繁（東芝）  SDM2015-59 ICD2015-28 |
[more] | SDM2015-59 ICD2015-28 pp.11-13 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 09:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | マルチ・ゲート酸化膜を備え自己整合プロセスを用いたDual Work Function (DWF) MOSFETsの低消費RFアプリケーションに対するスケーリングの方針 ○宮田俊敬・川中 繁・外園 明・大黒達也・豊島義明（東芝） SDM2013-67 ICD2013-49 |
汎用CMOSプロセスを用いて、ゲート長が100nmの自己整合的なDual Work Function (DWF)-MOS... [more] | SDM2013-67 ICD2013-49 pp.13-18 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-25 10:25 |
富山 | 富山県民会館 | Datta-Das型スピントランジスタにおける性能と消費電力見積もり ○近藤佳之・川中 繁・安達甘奈（東芝） SDM2011-74 ICD2011-42 |
Datta-Das型スピントランジスタ(SFET)において電荷の充放電によるアクティブパワーと 遅延時間の見積もりを行... [more] |
SDM2011-74 ICD2011-42 pp.17-22 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-25 10:50 |
富山 | 富山県民会館 | ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討 ○杉崎絵美子・宮田俊敬・大島康礼・外園 明・安達甘奈・宮野清孝・辻井秀二・川中 繁・稲葉 聡・井谷孝治・飯沼俊彦・豊島義明（東芝） SDM2011-75 ICD2011-43 |
ナノスケール世代のMOSFETのスケーリングにおいては、ソースドレインエクステンション（SDE）不純物プロファイル設計の... [more] | SDM2011-75 ICD2011-43 pp.23-27 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン 後藤正和・○川中 繁・犬宮誠治・楠 直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉 聡・豊島義明（東芝） SDM2009-107 ICD2009-23 |
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] | SDM2009-107 ICD2009-23 pp.53-56 |
| SDM | 2009-06-19 15:40 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 ○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中 繁・木下敦寛（東芝） SDM2009-39 |
high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV... [more] | SDM2009-39 pp.71-76 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | 極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響 ○後藤正和・辰村光介・川中 繁・中嶋一明・市原玲華・吉水康人・小野田裕之・長友浩二・佐々木俊行・福島 崇・野町映子・犬宮誠治・青山知憲・小山正人・豊島義明（東芝） SDM2008-147 ICD2008-57 |
ゲートファーストプロセスにより作製した極微細TaCx/HfSiONデバイスにおいて、TaCx組成がもたらすデバイス特性へ... [more] | SDM2008-147 ICD2008-57 pp.109-114 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 14:10 |
東京 | 機械振興会館 | シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討 ○辻井秀二・外園 明・藤原 実・川中 繁・東 篤志・青木伸俊・豊島義明（東芝） VLD2007-56 SDM2007-200 |
[more] | VLD2007-56 SDM2007-200 pp.27-32 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 10:20 |
北海道 | 北見工業大学 | ［特別招待講演］32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化 ○小山正人・小池正浩・上牟田雄一・鈴木正道・辰村光介・土屋義規・市原玲華・後藤正和・長友浩二・東 篤志・川中 繁・中嶋一明・関根克行（東芝） SDM2007-159 ICD2007-87 |
MOSFET性能向上を阻害するゲート絶縁膜薄膜化の物理限界を打破するために、従来のSiO2(SiON)よりも比誘電率の高... [more] | SDM2007-159 ICD2007-87 pp.101-106 |
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