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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2021-10-27
15:10
ONLINE オンライン開催 抵抗変化メモリのためのHfO2膜の特性評価
川合祐貴佐藤 勝武山真弓北見工大CPM2021-31
近年,フラッシュメモリより動作速度が速く,消費電力を低くすることができる抵抗変化メモリが注目されている.しかしながら,低... [more] CPM2021-31
pp.43-45
ED, SDM, CPM
(共催)
2021-05-27
14:10
ONLINE オンライン開催 抵抗変化型メモリのためのZr/ZrOx/Pt構造の電気的特性評価
川合祐貴佐藤 勝武山真弓北見工大ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14
抗変化型メモリは、次世代の不揮発性メモリとして注目されている。しかしながら、フォーミングに高電圧が必要なことやフォーミン... [more] ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14
pp.11-14
CPM 2021-03-03
13:45
ONLINE オンライン開催 薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性
川合祐貴山本和輝大塚 祐佐藤 勝武山真弓北見工大CPM2020-69
近年、抵抗変化型メモリは、最も有望な次世代の不揮発性メモリの1つとして注目されている。本研究では、動作電流を低減させるた... [more] CPM2020-69
pp.52-54
CPM 2020-10-29
16:40
ONLINE オンライン開催 抵抗変化メモリに適用可能なZrO2膜の低温作製
佐藤 勝川合祐貴向井高幸武山真弓北見工大CPM2020-21
抵抗変化メモリに適用可能な絶縁膜を形成するために、我々は、ZrO2膜の低温作製を行ってきた。本研究で得られたZrO2膜は... [more] CPM2020-21
pp.38-40
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