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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2016-04-14
14:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance
齋藤 仁中村 亘小澤聡一郎佐次田直也三原 智彦坂幸信王 文生堀 智之高井一章中澤光晴小杉 騰濱田 誠川嶋将一郎恵下 隆松宮正人FSLICD2016-9
我々は低電圧1.2 V動作, 書き換え回数1E17 サイクルの強誘電体RAM(FRAM)を開発した。我々が新たに開発した... [more] ICD2016-9
pp.45-49
SDM, ICD
(共催)
2011-08-25
11:15
富山 富山県民会館 [招待講演]強誘電体メモリ(FeRAM)の技術動向 ~ 2010とこれから ~
川嶋将一郎富士通セミコンダクターSDM2011-76 ICD2011-44
強誘電体は自発分極をもちこの方向を0と1の記憶に用いた不揮発性メモリが
FeRAMである。強誘電体の例としてPZT(チ... [more]
SDM2011-76 ICD2011-44
pp.29-34
SDM, ICD
(共催)
2011-08-25
16:15
富山 富山県民会館 [パネル討論]センサーネット・エネルギーハーベスティングシステムに向けた超低消費電力技術
竹内敬治NTTデータ)・宇賀神 守NTT)・川嶋将一郎富士通)・道関隆国立命館大)・高宮 真東大)・井田次郎金沢工大)・門 勇一京都工繊大SDM2011-82 ICD2011-50
 [more] SDM2011-82 ICD2011-50
p.63
ICD 2009-04-13
15:40
宮城 大観荘(宮城県松島町) [パネル討論]低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?
日高秀人ルネサステクノロジ)・山岡雅直日立)・宮野信冶東芝)・秋山 悟日立)・杉林直彦NEC)・川嶋将一郎富士通マイクロエレクトロニクス)・尾坂匡隆パナソニックICD2009-4
SOC向けの低電圧メモリは混載SRAMが主流であるが、微細化に伴い、ロジックコア電圧に追随した低電圧化の困難化、待機電力... [more] ICD2009-4
p.19
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