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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
2008-07-18
15:30
東京 機械振興会館 ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET ~ ハイブリッド・ゲート構造 ~
大田裕之富士通研)・川村和郎富士通マイクロエレクトロニクス)・福留秀暢富士通研)・田島 貢岡部堅一富士通マイクロエレクトロニクス)・○池田圭司保坂公彦籾山陽一佐藤成生杉井寿博富士通研SDM2008-148 ICD2008-58
本論文では新しい歪み技術である不純物閉じ込め層(DCL)をNMOSに、2層のNiフルシリサイド(Ni-FUSI)をPMO... [more] SDM2008-148 ICD2008-58
pp.115-120
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