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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2016-01-28 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ ○池上一隆・野口紘希・高谷 聡・鎌田親義・天野 実・安部恵子・櫛田桂一・北川英二・落合隆夫・下村尚治・才田大輔・川澄 篤・原 浩幸・伊藤順一・藤田 忍（東芝）  SDM2015-126 |
MTJをキャッシュメモリに応用することで、プロセッサの消費電力を大幅に低減することが期待されている。しかし、10 ns以... [more] | SDM2015-126 pp.27-30 |
| ICD | 2015-04-17 12:40 |
長野 | 信州大学 | ［招待講演］キャッシュメモリ向け垂直磁化型STT-MRAMの低電力化技術 ○野口紘希・池上一隆・櫛田桂一・安部恵子・板井翔吾・高谷 聡・田中千加・鎌田親義・天野 実・北川英二・下村尚治・川澄 篤・原 浩幸・伊藤順一・藤田 忍（東芝） ICD2015-10 |
[more] | ICD2015-10 pp.45-50 |
| SDM | 2015-01-27 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM ○池上一隆・野口紘希・鎌田親義・天野 実・安部恵子・櫛田桂一・落合隆夫・下村尚治・板井翔吾・才田大輔・田中千加・川澄 篤・原 浩幸・伊藤順一・藤田 忍（東芝） SDM2014-142 |
近年のプロセッサにおける性能向上はキャッシュメモリの増大に頼っている。しかしながら、従来のキャッシュメモリでは、SRAM... [more] | SDM2014-142 pp.29-32 |
| ICD | 2014-04-18 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］27%動作電力削減と85%リーク削減を実現する2電源SRAM用ビット線電力計算回路およびデジタル制御リテンション回路 ○櫛田桂一・橘 文彦・平林 修・武山泰久・川澄 篤・鈴木 東・仁木祐介・静野観椰子・佐々木慎一・矢部友章・畝川康夫（東芝） ICD2014-13 |
2電源SRAMの動作電力およびリーク電力を低減するビット線電力計算回路およびデジタル制御リテンション回路を提案した。ビッ... [more] | ICD2014-13 pp.65-70 |
| ICD | 2014-04-18 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］ISSCCにおけるメモリ論文動向 ～ 過去10年のトレンド解析と予想 ～ ○川澄 篤（東芝） ICD2014-16 |
ISSCCメモリ分野論文とCall for Paperを過去10年までさかのぼって解析しトレンドの抽出と将来の予想を行っ... [more] | ICD2014-16 pp.83-84 |
| ICD | 2013-04-11 17:30 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［パネル討論］スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 ～ 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える？ ～ ○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・遠藤哲郎（東北大）・加藤佳一（パナソニック）・半澤 悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・川澄 篤（東芝）・三輪 達（サンディスク） ICD2013-11 |
近年、STT-MRAMやReRAMなど新しいメモリデバイスが続々と登場し技術革新が進んでいる。今後5年、10年後にこれら... [more] | ICD2013-11 p.53 |
| ICD | 2013-04-12 13:30 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］統計手法を利用した極低電圧SRAM向けセンスアンプタイミング生成回路 ○川澄 篤・武山泰久・平林 修・櫛田桂一・橘 文彦・仁木祐介・佐々木慎一・矢部友章（東芝） ICD2013-18 |
SRAMの消費電力を低減させるためには，低電圧動作が有効である．低電圧化に伴ってトランジスタのランダムばらつきの影響が大... [more] | ICD2013-18 pp.91-96 |
| ICD | 2013-04-12 14:20 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］ビット線電力計算回路とデジタルLDOを使用した2電源SRAMの消費電力削減スキーム ○静野観椰子・橘 文彦・平林 修・武山泰久・川澄 篤・櫛田桂一・鈴木 東・仁木祐介・佐々木慎一・矢部友章・畝川康夫（東芝） ICD2013-19 |
動作条件に応じてSRAMの消費電力低減を実現するビット線電力計算器とデジタル制御リテンション回路を提案した。ビット線電力... [more] | ICD2013-19 pp.97-102 |
| ICD | 2013-04-12 14:45 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM ○森脇真一・山本安衛・鈴 木 利 一（半導体理工学研究センター）・川澄 篤（東芝）・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） ICD2013-20 |
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した... [more] | ICD2013-20 pp.103-108 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 09:35 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kbサブ10pJ/access動作8T SRAM ○吉本秀輔・寺田正治・梅木洋平・奥村俊介（神戸大）・川澄 篤・鈴木利一・森脇真一・宮野信治（半導体理工学研究センター）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） SDM2012-64 ICD2012-32 |
[more] | SDM2012-64 ICD2012-32 pp.7-12 |
| ICD | 2012-04-24 13:50 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM ○森脇真一・川澄 篤（半導体理工学研究センター）・鈴木利一（パナソニック）・山本安衛・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） ICD2012-13 |
[more] | ICD2012-13 pp.67-71 |
| ICD | 2011-04-19 09:55 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | [依頼講演]デジタル化したレプリカビット線遅延を用いたランダムばらつきに強いSRAMセンスアンプタイミング生成回路 ○仁木祐介・川澄 篤・鈴木 東・武山泰久・平林 修・櫛田桂一・橘 文彦・藤村勇樹・矢部友章（東芝） ICD2011-9 |
SRAMの消費電力を低減させるためには，低電圧で動作させることが有効である．しかしながら，低電圧化に伴ってトランジスタの... [more] | ICD2011-9 pp.49-54 |
| ICD | 2011-04-19 11:20 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | [依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM ○鈴木利一・森脇真一・川澄 篤・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター） ICD2011-12 |
低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルクCMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の... [more] | ICD2011-12 pp.65-70 |
| ICD | 2010-04-22 09:00 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM ○藤村勇樹・平林 修・佐々木貴彦・鈴木 東・川澄 篤・武山泰久・櫛田桂一・深野 剛・片山 明・仁木祐介・矢部友章（東芝） ICD2010-1 |
本稿では、32nm High-k Metal Gate CMOSプロセスにて0.149μm2セルを用い開発した低電圧コン... [more] | ICD2010-1 pp.1-6 |
| ICD | 2009-04-14 10:15 |
宮城 | 大観荘（宮城県松島町） | [依頼講演]レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nmCMOSプロセス0.179μm2セル2電源SRAM ○藤村勇樹・平林 修・川澄 篤・鈴木 東・武山泰久・櫛田桂一・佐々木貴彦・片山 明・深野 剛・中里高明・志津木 康・串山夏樹・矢部友章（東芝） ICD2009-5 |
デバイススケーリングによる素子特性ばらつき増大への対策として，ロジック電源より200mV高いメモリセル専用電源を導入し，... [more] | ICD2009-5 pp.21-26 |
| ICD | 2008-04-17 09:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ ○佐々木貴彦・川澄 篤・矢部友章・武山泰久・平林 修・櫛田桂一（東芝）・東畑晃史（東芝マイクロエレクトロニクス）・片山 明・深野 剛・藤村勇樹・大塚伸朗（東芝） ICD2008-1 |
$0.7V$単一電源により$1GHz$動作する$64kB$SRAMマクロを開発した [1] 。$45nm$テクノロジーを... [more] | ICD2008-1 pp.1-6 |
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