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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2024-01-31
14:50
東京 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]チャージトラップ制御によるHfO-FeFETのEndurance改善
鈴木都文佐久間 究吉村瑶子市原玲華松尾和展萩島大輔藤原 実齋藤真澄キオクシアSDM2023-78
 [more] SDM2023-78
pp.17-19
SDM 2022-01-31
14:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明
市原玲華キオクシアSDM2021-70
HfO2-FeFETで生じる様々な種類のチャージトラップのサイクル過程における挙動を、高速電流計測に基づく荷電中心解析に... [more] SDM2021-70
pp.9-11
SDM 2021-01-28
13:05
ONLINE オンライン開催 [招待講演]自発分極とトラップ電荷の分離抽出に基づく強誘電HfO2-FeFETにおけるVthウインドウ及び信頼性決定要因の解析
市原玲華キオクシアSDM2020-49
HfO2-FeFETでは,自発分極の反転に加え,その効果を相殺する極性の電荷トラップがHfO2/SiO2界面近傍に生じる... [more] SDM2020-49
pp.1-2
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
13:25
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]テラビット大容量応用に向けたAgイオンメモリセルアレイ実証
市原玲華藤井章輔今野拓也山口まりな関 春海田中洋毅趙 丹丹吉村瑶子齋藤真澄小山正人東芝メモリSDM2019-50 ICD2019-15
テラビットクラスの大容量応用に有望なAgイオンメモリセルを開発し、クロスポイントアレイ動作を実証した。母材SiO2中に大... [more] SDM2019-50 ICD2019-15
pp.85-88
ICD, SDM
(共催)
2008-07-18
15:05
東京 機械振興会館 極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響
後藤正和辰村光介川中 繁中嶋一明市原玲華吉水康人小野田裕之長友浩二佐々木俊行福島 崇野町映子犬宮誠治青山知憲小山正人豊島義明東芝SDM2008-147 ICD2008-57
ゲートファーストプロセスにより作製した極微細TaCx/HfSiONデバイスにおいて、TaCx組成がもたらすデバイス特性へ... [more] SDM2008-147 ICD2008-57
pp.109-114
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
10:20
北海道 北見工業大学 [特別招待講演]32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化
小山正人小池正浩上牟田雄一鈴木正道辰村光介土屋義規市原玲華後藤正和長友浩二東 篤志川中 繁中嶋一明関根克行東芝SDM2007-159 ICD2007-87
MOSFET性能向上を阻害するゲート絶縁膜薄膜化の物理限界を打破するために、従来のSiO2(SiON)よりも比誘電率の高... [more] SDM2007-159 ICD2007-87
pp.101-106
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