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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
10:10
東京 東工大 大岡山キャンパス [招待講演]InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD
Makoto MiyoshiShigeaki SumiyaMikiya IchimuraTomohiko SugiyamaSota MaeharaMitsuhiro TanakaNGK)・Takashi EgawaNagoya Inst. of Tech.ED2010-105 SDM2010-106
 [more] ED2010-105 SDM2010-106
pp.241-244
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-20
10:20
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価
市村幹也三好実人田中光浩日本ガイシ)・江川孝志名工大ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128
格子長とバンドギャップの独立制御が可能な四元混晶を障壁層とするInAlGaN/GaN HEMT構造のMOCVD成長および... [more] ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128
pp.99-103
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