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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
13:00
静岡 静岡大学(浜松) リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善
加藤大望梶原瑛祐向井 章大野浩志新留 彩田島純平彦坂年輝蔵口雅彦布上真也東芝ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82
リセス深さによるノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果 (SCEs) 改善を検討した.TCADによる電界... [more] ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82
pp.29-32
PN, EMT, OPE, EST, MWP, LQE
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2019-01-18
11:15
大阪 大阪大学中之島センター 深溝周期構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザの検討
上向井正裕楠本 壮田附大貴阪大)・田島純平彦坂年輝布上真也東芝)・片山竜二阪大PN2018-76 EMT2018-110 OPE2018-185 LQE2018-195 EST2018-123 MWP2018-94
GaNやAlNなどの窒化物半導体は高い光学非線形性を有することから,高効率波長変換デバイスへの応用が期待されている.励起... [more] PN2018-76 EMT2018-110 OPE2018-185 LQE2018-195 EST2018-123 MWP2018-94
pp.243-246
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-29
14:15
愛知 名古屋工業大学 GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善
梶原瑛祐新留 彩彦坂年輝蔵口雅彦東芝)・吉岡 啓東芝デバイス&ストレージ)・布上真也東芝ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89
リセス構造型のノーマリオフGaN-MOSFETのチャネル移動度を改善したので報告する.これは,リセスエッチングで生じたG... [more] ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89
pp.13-16
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
12:55
愛知 名古屋工業大学 MOS型GaNパワーデバイスにおけるPBTI信頼性の改善
梶原瑛祐米原健矢加藤大望上杉謙次郎新留 彩蔵口雅彦向井 章大野浩志湯元美樹東芝)・吉岡 啓東芝デバイス&ストレージ)・布上真也東芝ED2017-62 CPM2017-105 LQE2017-75
 [more] ED2017-62 CPM2017-105 LQE2017-75
pp.65-68
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
14:30
大阪 大阪市立大学 ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析
波多腰玄一布上真也東芝ED2012-86 CPM2012-143 LQE2012-114
ウルツ鉱構造InGaNでは伝導帯側にバンドギャップエネルギーと同じオーダーのエネルギー差を持つバンドがあり,これを介した... [more] ED2012-86 CPM2012-143 LQE2012-114
pp.97-101
ICD, CPM
(共催)
2007-01-19
09:00
東京 機械振興会館 紫外LEDのパッケージ技術 ~ フリップチップ実装技術による光取出し効率向上アプローチ ~
三石 巌布上真也山田 浩布上真也東芝
 [more] CPM2006-141 ICD2006-183
pp.73-76
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-06
11:50
京都 京都大学 電流注入発光寿命によるGan系LEDにおける内部量子効率の評価
財満康太郎東芝)・成田哲生名大)・斎藤真司橘 浩一名古 肇波多腰玄一布上真也東芝
InGaN量子井戸を活性層とする発光ダイオード(Light Emitting Diode, LED)を試料として、電流注... [more] ED2006-166 CPM2006-103 LQE2006-70
pp.79-82
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