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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMD, R, LQE, OPE, CPM
(共催)
2022-08-26
11:00
千葉 千葉工業大学津田沼キャンパス + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
表面プラズモン共鳴による近紫外・可視光波長選択光吸収体の作製
元垣内敦司清水清義赤塚かれん田中凌雅平松和政三重大
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more]
EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN
(共催)
PEM, IEE-EMT
(連催) [詳細]
2018-01-25
14:15
兵庫 姫路西はりま地場産業センター 二層型ワイヤーグリッド構造における伝搬型表面プラズモンの伝搬特性に関する研究
渡邊直也元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大PN2017-46 EMT2017-83 OPE2017-124 LQE2017-106 EST2017-82 MWP2017-59
ワイヤーグリッド(WG)構造は様々な応用が期待されている構造である. 偏光子や波長板, 光吸収体などの応用が考えられてい... [more] PN2017-46 EMT2017-83 OPE2017-124 LQE2017-106 EST2017-82 MWP2017-59
pp.41-45
EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN
(共催)
PEM, IEE-EMT
(連催) [詳細]
2018-01-25
14:40
兵庫 姫路西はりま地場産業センター 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーのプラズモン励起特性及び感度特性
伊藤優佑元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大PN2017-47 EMT2017-84 OPE2017-125 LQE2017-107 EST2017-83 MWP2017-60
 [more] PN2017-47 EMT2017-84 OPE2017-125 LQE2017-107 EST2017-83 MWP2017-60
pp.47-52
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
14:45
愛知 名古屋工業大学 スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長
吉澤 涼林 侑介三宅秀人平松和政三重大ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79
AlNはワイドギャップ半導体で,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.高効率な... [more] ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79
pp.83-86
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
15:10
愛知 名古屋工業大学 Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用
林 侑介三宅秀人平松和政秋山 亨伊藤智徳三重大)・片山竜二阪大ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80
 [more] ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80
pp.87-90
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2017-01-18
11:25
三重 伊勢市観光文化会館 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの周期及び入射角度依存性と感度特性
伊藤優佑元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大PN2016-44 EMT2016-73 OPE2016-119 LQE2016-108 EST2016-83 MWP2016-57
表面プラズモンセンサーは, 表面プラズモンポラリトン(SPP)の励起を利用して, 対象媒質の屈折率の変化に対応して検出を... [more] PN2016-44 EMT2016-73 OPE2016-119 LQE2016-108 EST2016-83 MWP2016-57
pp.13-18
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2017-01-18
11:50
三重 伊勢市観光文化会館 表面プラズモンを用いたワイヤーグリッド偏光子の作製と偏光特性評価に関する研究
中嶋智康元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大PN2016-45 EMT2016-74 OPE2016-120 LQE2016-109 EST2016-84 MWP2016-58
我々はこれまでに2層型ワイヤーグリッド偏光子(WGP)の周期によって異常透過の起きる入射角度が変化し, 表面プラズモン(... [more] PN2016-45 EMT2016-74 OPE2016-120 LQE2016-109 EST2016-84 MWP2016-58
pp.19-22
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2017-01-19
15:25
三重 伊勢市観光文化会館 Au 2次元回折格子構造による光学素子の作製と光学特性評価
山田泰士元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大PN2016-82 EMT2016-111 OPE2016-157 LQE2016-146 EST2016-121 MWP2016-95
Au 2次元回折格子構造を使った光学ミラーの実現のために、電子線リソグラフィ技術とリフトオフ工程を利用して作製し、光学特... [more] PN2016-82 EMT2016-111 OPE2016-157 LQE2016-146 EST2016-121 MWP2016-95
pp.269-272
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2017-01-19
15:50
三重 伊勢市観光文化会館 焦点制御型回折レンズの作製と焦点距離と焦点深度の制御
井口陽介元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大PN2016-83 EMT2016-112 OPE2016-158 LQE2016-147 EST2016-122 MWP2016-96
レーザー光を様々な分野へ応用するために,周期構造によって焦点距離と焦点深度を制御できる焦点制御型回折レンズの設計を行い,... [more] PN2016-83 EMT2016-112 OPE2016-158 LQE2016-147 EST2016-122 MWP2016-96
pp.273-278
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
10:55
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール
鈴木周平林 家弘三宅秀人平松和政三重大)・福山博之東北大ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101
AlNはワイドギャップ半導体で,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.高効率な... [more] ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101
pp.5-9
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
11:20
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長
安井大貴三宅秀人平松和政三重大)・岩谷素顕赤崎 勇名城大)・天野 浩名大ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102
AlN(窒化アルミニウム)はワイドバンドギャップ半導体であり,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外域の発光・受光... [more] ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102
pp.11-14
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
15:05
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 [招待講演]AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価
秩父重英東北大)・三宅秀人平松和政三重大ED2015-76 CPM2015-111 LQE2015-108
 [more] ED2015-76 CPM2015-111 LQE2015-108
pp.43-48
OPE, LQE
(共催)
2014-12-18
11:05
東京 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) 光学フィルタへの応用に向けた金属2次元回折格子構造の作製と光学特性評価
鬼頭壮宜元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大OPE2014-141 LQE2014-128
従来技術に変わる熱線遮蔽対策として,可視光は透過,赤外光は反射を同時に達成するコールドフィルタを実現するために,金属2次... [more] OPE2014-141 LQE2014-128
pp.11-14
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
11:50
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 減圧MOVPE法によるAlGaN多重量子井戸構造の緩衝層の効果
中濵和大三重大)・福世文嗣浜松ホトニクス)・三宅秀人平松和政三重大)・吉田治正小林祐二浜松ホトニクスED2014-76 CPM2014-133 LQE2014-104
 [more] ED2014-76 CPM2014-133 LQE2014-104
pp.15-18
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
16:00
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果
岡田俊祐三宅秀人平松和政三重大)・宮川鈴衣奈江龍 修名工大)・橋詰 保北大ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124
極性面である(0001)面及び非極性面である(10-10)面や(20-21)面,(20-2-1)面を主面とするGaN自立... [more] ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124
pp.111-115
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
11:15
愛知 名古屋大学VBL3階 AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長
渡邉祥順三宅秀人平松和政三重大)・岩崎洋介JFEミネラルED2014-37 CPM2014-20 SDM2014-35
窒化アルミニウムは深紫外域の発光・受光デバイスや高出力・高周波パワーデバイスなどの基板として注目されている。近年のHVP... [more] ED2014-37 CPM2014-20 SDM2014-35
pp.97-100
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-29
11:00
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長
片桐正義泉 健太三宅秀人平松和政三重大)・奥 秀彦浅村英俊川村啓介エア・ウォーターR&DED2013-79 CPM2013-138 LQE2013-114
Si 基板上のGaN 成長においては,熱膨張係数差に起因する基板の反りやクラックの発生,SiとGa との反応によるメルト... [more] ED2013-79 CPM2013-138 LQE2013-114
pp.71-74
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-29
11:25
大阪 大阪大学 吹田キャンパス サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長
西尾 剛鈴木周平三宅秀人平松和政三重大)・福山博之東北大ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115
AlNはワイドギャップ半導体であり,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.本研... [more] ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115
pp.75-78
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-29
11:50
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 減圧HVPE成長を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御
北川 慎三宅秀人平松和政三重大ED2013-81 CPM2013-140 LQE2013-116
窒化アルミニウムは禁制帯幅が約6.2eVのため深紫外域の光デバイス用の基板として期待されているが、高品質AlN自立基板の... [more] ED2013-81 CPM2013-140 LQE2013-116
pp.79-82
OME, IEE-DEI
(連催)
2013-01-24
16:50
愛知 ウィンクあいち 減圧CVD法によるグラフェン成長制御
前坂考哉佐藤英樹三宅秀人平松和政三重大OME2012-89
本研究では,単層カーボンナノチューブの低温成長法として知られている,エタノールを原料とする減圧CVD(LP-CVD)法の... [more] OME2012-89
pp.31-35
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