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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-12-07 15:15 |
京都 | 京都大学(桂) | 連続発振レーザーにより形成した電極下高濃度不純物層を有する結晶系シリコン太陽電池の最適化 ○湯本伸伍・西村英紀・平田憲司・杉村恵美・冬木 隆（奈良先端大）  SDM2012-131 |
レーザードーピング（LD）は、低コストで高効率な結晶シリコン太陽電池を作製する新規プロセスとして注目されている。LDは太... [more] | SDM2012-131 pp.95-99 |
| SDM | 2010-12-17 11:20 |
京都 | 京都大学(桂) | 多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング ○長谷川光洋・平田憲司・高山 環・舟谷友宏・冬木 隆（奈良先端大） SDM2010-189 |
近年、次世代クリーンエネルギーとして太陽電池の需要が世界的に急増している。それに伴い、シリコン原料の不足やコスト削減とい... [more] | SDM2010-189 pp.25-28 |
| SDM | 2010-12-17 11:40 |
京都 | 京都大学(桂) | 結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化 ○舟谷友宏・平田憲司・高山 環・長谷川光洋・冬木 隆（奈良先端大） SDM2010-190 |
近年、シリコン太陽電池の低コスト化と高効率化の2つの要素を可能とするプロセスの開発が急務であり、その1つとしてレーザード... [more] | SDM2010-190 pp.29-32 |
| SDM | 2009-12-04 09:40 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 ○岡本 大・矢野裕司・平田憲司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2009-152 |
4H-SiC MOS界面に種々の元素をイオン注入により導入し，界面準位密度の変化を調べた． B, N, F, Al, P... [more] | SDM2009-152 pp.5-10 |
| OME | 2007-09-20 13:00 |
兵庫 | 情報通信研究機構, 未来ICT研究センター, 第三研究棟中会議室 | 高イオン導電性ゲル電解質を用いた色素増感太陽電池の電気的特性 ○京兼 純・久保田拓也（奈良高専）・平田憲司（奈良先端大）・沢田英夫（弘前大） OME2007-22 |
本研究はDimethyl Slufoxide (DMSO)とイオン性液体を用い、PEG及びフッ素系オリゴマーを基本とした... [more] | OME2007-22 pp.1-6 |
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