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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, WPT
(共催)
2024-04-18
14:05
神奈川 神奈川大学 横浜キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
低閾値GaAs GADを用いる高ダイナミックレンジ大電力整流器
廣瀬裕也金沢工大)・加藤 岳河野孝昌日清紡マイクロデバイス)・坂井尚貴伊東健治金沢工大
 [more]
MW 2024-02-29
13:25
岡山 岡山県立大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
低閾値GaAs GADを用いる920MHz帯高ダイナミックレンジ微弱電力レクテナ
平瀬大暉廣瀬裕也平井 司金沢工大)・加藤 岳河野孝昌日清紡マイクロデバイス)・坂井尚貴伊東健治金沢工大MW2023-179
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more] MW2023-179
pp.25-30
MW 2023-11-17
10:20
沖縄 名護市産業支援センター(沖縄)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
出力DC電圧降圧用多段スタック形マイクロ波整流器
廣瀬裕也坂井尚貴伊東健治金沢工大MW2023-140
 [more] MW2023-140
pp.76-80
MW, AP
(併催)
2023-09-29
11:05
高知 高知城歴史博物館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
インピーダンス変成微小ループアンテナを用いる28GHz帯GaAs高効率レクテナMMIC
小林章伸平井 司廣瀬裕也坂井尚貴伊東健治金沢工大MW2023-87
本報告ではB5G/6G基地局のミリ波送信波を用いる通信と無線電力伝送の融合システムに適用する28GHz帯高効率GaAsレ... [more] MW2023-87
pp.34-39
MW 2023-05-19
10:50
京都 ⽴命館⼤学 朱雀キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
放熱用窒化アルミニウムアンテナを用いた5.8GHz帯10Wレクテナ
坂井尚貴古谷尚季廣瀬裕也内山海渡小松郁弥伊東健治金沢工大MW2023-15
本論文は窒化アルミニウムアンテナ上にGaAs E-pHEMT gated anode diode 整流回路ICを搭載した... [more] MW2023-15
pp.33-37
WPT, MW
(共催)
2023-04-13
15:20
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
GaAs E-pHEMT GADを用いる10W級整流器MMICの電力特性の解析
高屋凌平廣瀬裕也坂井尚貴伊東健治金沢工大WPT2023-5 MW2023-5
 [more] WPT2023-5 MW2023-5
pp.22-27
MW 2023-03-02
14:30
鳥取 鳥取大学(鳥取) 鳥取キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
GaAs E-pHEMT GADを用いる準ミリ波帯1W整流器MMIC
角谷直哉・○廣瀬裕也坂井尚貴伊東健治金沢工大MW2022-165
本報告では,0.18μm GaAs E-pHEMTによるGated Anode Diode (GAD)を用いる準ミリ波帯... [more] MW2022-165
pp.48-53
SDM 2022-11-11
09:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]信号電子の混合効果の抑制によるスーパー時間分解を目指して
江藤剛治阪大)・下ノ村和弘安藤妙子松長誠之廣瀬 裕立命館大)・志村考功渡部平司阪大)・鎌倉良成阪工大)・武藤秀樹リンクリサーチSDM2022-71
シリコン(Si)イメージセンサの理論的限界時間分解能は11.1psである1).それ以下の時間分解能をスーパー時間分解(S... [more] SDM2022-71
pp.32-39
EE, WPT
(併催)
2022-10-06
13:55
大阪 大阪シティアカデミー さんくすホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
誘導性高インピーダンスパッチアンテナを用いるGaAsレクテナMMICによる28GHz帯無線電力伝送実験
平井 司伊藤 匠廣瀬裕也坂井尚貴野口啓介伊東健治金沢工大)・長谷川直樹平川 昂中本悠太太田喜元ソフトバンクWPT2022-22
B5Gに向けて無線通信と無線電力伝送の融合システムの検討を行っている.基地局からバッテリレスIoTセンサへの電源供給など... [more] WPT2022-22
pp.7-10
AP, MW
(併催)
2022-09-15
10:35
愛媛 愛媛県美術館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
E-pHEMTによるGADを用いる5.8GHz帯10W級倍電圧整流器MMIC
廣瀬裕也高屋凌平小松郁弥坂井尚貴伊東健治金沢工大MW2022-73
 [more] MW2022-73
pp.25-29
MW 2021-12-16
14:15
神奈川 川崎市産業振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
0.1μm E-pHEMTによるGADを用いる30GHz帯倍電圧整流器MMIC
角谷直哉小松郁弥廣瀬裕也坂井尚貴伊東健治金沢工大MW2021-90
本報告では0.1μm E-pHEMTを用いる30GHz帯倍電圧整流器MMICの設計・試作結果を報告する. 整流用ダイオー... [more] MW2021-90
pp.31-36
LQE, LSJ
(共催)
2015-05-22
11:25
石川 金沢能楽美術館 結晶セレン/酸化ガリウムヘテロ接合ダイオードを積層した高感度イメージセンサ
為村成亨菊地健司宮川和典大竹 浩久保田 節NHK)・中田時夫東京理科大)・沖野 徹廣瀬 裕加藤剛久パナソニック)・寺西信一兵庫県立大LQE2015-13
結晶セレン(crystalline selenium: c-Se)を光電変換膜として適用した積層型CMOSイメージセンサ... [more] LQE2015-13
pp.63-67
ED 2007-11-28
11:35
宮城 東北大学 電気通信研究所 GaN光伝導スイッチからのテラヘルツ電磁波発生
今藤 修Brahm Pal Singh廣瀬 裕福島康之瀧川信一松下電器ED2007-201
我々は、GaAsよりも破壊電界強度が一桁高いGaNを光伝導層に用いた大口径型の光伝導スイッチを作製し、紫外光励起によるテ... [more] ED2007-201
pp.77-81
MW, ED
(共催)
2005-11-17
13:35
佐賀 佐賀大学 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
西嶋将明村田智洋廣瀬 裕引田正洋根来 昇酒井啓之上本康裕井上 薫田中 毅上田大助松下電器
サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice:SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FE... [more] ED2005-165 MW2005-120
pp.39-43
MW, ED
(共催)
2005-01-18
09:20
東京 機械振興会館 ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
引田正洋柳原 学中澤一志上野弘明廣瀬 裕上田哲三上本康裕田中 毅上田大助松下電器)・江川孝志名工大
AlGaN/GaN HFETをパワースイッチングデバイスに応用するためには、デバイスの低オン抵抗化と高耐圧化の両立、およ... [more] ED2004-212 MW2004-219
pp.1-5
MW, ED
(共催)
2005-01-18
10:10
東京 機械振興会館 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET
村田智洋引田正洋廣瀬 裕井上 薫上本康裕田中 毅上田大助松下電器
 [more] ED2004-214 MW2004-221
pp.13-17
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