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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
10:15
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ミストCVD法で作製したGaSnO薄膜の特性評価
福嶋大貴弓削政博木村 睦松田時宜龍谷大EID2016-11 SDM2016-92
 [more] EID2016-11 SDM2016-92
pp.11-14
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
13:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価
吉岡敏博小川淳史弓削政博松田時宜木村 睦龍谷大EID2015-15 SDM2015-98
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] EID2015-15 SDM2015-98
pp.27-30
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
14:00
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価
弓削政博小川淳史吉岡敏博加藤雄太松田時宜木村 睦龍谷大EID2015-16 SDM2015-99
薄膜トランジスタ動作する事が確認されたGaxSn1-xO(GTO)薄膜を、非真空プロセスであるミストCVD法によって、 ... [more] EID2015-16 SDM2015-99
pp.31-34
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
15:15
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価
小川淳史弓削政博吉岡敏博松田時宜木村 睦龍谷大EID2015-20 SDM2015-103
酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRF... [more] EID2015-20 SDM2015-103
pp.49-52
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