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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2014-11-06
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展
影島博之島根大SDM2014-101
計算物理においては、物質の性質をフィッティングパラメータ無しで精密に計算可能な第一原理計算法がパワフルで魅力的である。高... [more] SDM2014-101
pp.31-36
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
16:55
北海道 北海道大学 百年記念会館 シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
登坂仁一郎西口克彦影島博之藤原 聡NTTED2011-149 SDM2011-166
薄層SOI-MOSFETに対し電子トンネル分光を行うことでシリコン層の二次元状態形成を確認した。同様の薄層SOI-MOS... [more] ED2011-149 SDM2011-166
pp.41-46
SDM 2011-07-04
09:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成
影島博之日比野浩樹山口浩司NTT)・永瀬雅夫徳島大SDM2011-51
SiC(0001)面上のエピタキシャルグラフェンの成長機構について、第一原理計算を用いて検討した。界面グラフェン1層はバ... [more] SDM2011-51
pp.7-10
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
14:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]SiC上グラフェンの物性評価
永瀬雅夫日比野浩樹影島博之山口浩司NTTED2009-61 SDM2009-56
近年、グラフェンはその優れた電気的性質が注目を浴びている。SiC上にエピタキシャル成長が可能である熱成長グラフェンは、従... [more] ED2009-61 SDM2009-56
pp.47-52
SDM 2009-06-19
10:20
東京 東京大学(生産研An棟) Si酸化における界面反応の第一原理計算
秋山 亨三重大)・影島博之NTT)・植松真司慶大)・伊藤智徳三重大SDM2009-28
Si酸化における界面反応過程の詳細を第一原理計算に基づき解明した。ドライ酸化を想定したO$_2$分子での界面反応では、O... [more] SDM2009-28
pp.9-13
SDM, ED
(共催)
2009-02-26
14:10
北海道 北海道大学 マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性
宮崎康晶NTT/慶大)・小野行徳影島博之永瀬雅夫藤原 聡NTT)・太田英二慶大ED2008-225 SDM2008-217
 [more] ED2008-225 SDM2008-217
pp.7-11
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