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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
11:40
ONLINE オンライン開催 ニューラルネットワーク用強誘電体薄膜の誘電特性評価
石崎勇真梅村浩輝松川大毅木村 睦龍谷大)・徳光永輔北陸先端大)・羽賀健一土井利浩三菱マテリアルEID2020-5 SDM2020-39
ニューロモーフィックシステムは、ニューロンとシナプスの要素を実装するハードウェアレベルの生体模擬システムであり、低消費電... [more] EID2020-5 SDM2020-39
pp.17-20
SDM, OME
(共催)
2020-04-13
16:50
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行なし)
[招待講演]化学溶液堆積法によるMoS2, WS2膜の形成と薄膜トランジスタ応用
キム ジュウナン中嶋崇博小林祐貴羽賀健一・○徳光永輔北陸先端大
 [more]
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
15:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜をシナプスに用いたニューラルネットワーク
宮部雄太新村純平吉田 誉小川功人龍谷大)・羽賀健一徳光永輔北陸先端大)・木村 睦龍谷大
 [more]
SDM 2011-07-04
09:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Al2O3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価
山田泰之石黒暁夫東工大)・日野史郎三浦成久今泉昌之炭谷博昭三菱電機)・徳光永輔東工大SDM2011-52
 [more] SDM2011-52
pp.11-15
SDM, OME
(共催)
2010-04-23
17:00
沖縄 沖縄県青年会館 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
Gwang-Geun Lee東工大)・Sung-Min YoonETRI)・Joo-Won Yoon東工大)・藤崎芳久日立)・石原 宏徳光永輔東工大SDM2010-16 OME2010-16
本稿では有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機のアモルファス酸化物半導体IGZOとを組み合わせて、不揮発性メモリ機能を... [more] SDM2010-16 OME2010-16
pp.71-75
SDM, OME
(共催)
2008-04-11
14:30
沖縄 沖縄県青年会館 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ
徳光永輔柴田 宏大岩朝洋近藤洋平東工大SDM2008-11 OME2008-11
強誘電体と高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタの電気的特性を報告する。強誘電体や高誘電率材料... [more] SDM2008-11 OME2008-11
pp.51-56
SDM 2008-03-14
13:55
東京 機械振興会館 酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価
柴田 宏大岩朝洋徳光永輔東工大SDM2007-274
 [more] SDM2007-274
pp.7-12
SDM 2006-06-21
13:00
広島 広島大学, 学士会館 MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価
日野史郎畑山智裕徳光永輔東工大)・三浦成久大森達夫三菱電機
SiC-パワーMOSFETの実用化には絶縁膜/SiC界面の特性を改善する必要がある。本研究では通常の熱酸化法でSiO2/... [more] SDM2006-42
pp.1-5
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