お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 【重要】研究会・各種料金のお支払い方法変更について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: 最近10年)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 5件中 1~5件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-11-11
09:30
ONLINE オンライン開催 (オンライン) [招待講演]信号電子の混合効果の抑制によるスーパー時間分解を目指して
江藤剛治阪大)・下ノ村和弘安藤妙子松長誠之廣瀬 裕立命館大)・志村考功渡部平司阪大)・鎌倉良成阪工大)・武藤秀樹リンクリサーチSDM2022-71
シリコン(Si)イメージセンサの理論的限界時間分解能は11.1psである1).それ以下の時間分解能をスーパー時間分解(S... [more] SDM2022-71
pp.32-39
SDM 2022-10-19
16:30
ONLINE オンライン開催に変更 (オンライン) [招待講演]CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上
細井卓治関西学院大)・志村考功渡部平司阪大SDM2022-62
低損失パワーデバイスとして期待されるSiC MOSFETは閾値電圧変動が信頼性上の課題となっている.SiC MOSFET... [more] SDM2022-62
pp.34-37
SDM 2019-06-21
11:00
愛知 名古屋大学 VBL3F (愛知県) NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面近傍の窒素分布評価
細井卓治Kidist Moges阪大)・染谷 満産総研)・志村考功阪大)・原田信介産総研)・渡部平司阪大SDM2019-25
 [more] SDM2019-25
pp.1-4
SDM 2018-06-25
11:40
愛知 名古屋大学 VBL3F (愛知県) 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御
細井卓治山田高寛野崎幹人阪大)・高橋言諸山田 永清水三聡産総研)・吉越章隆原子力機構)・志村考功渡部平司阪大SDM2018-18
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] SDM2018-18
pp.11-14
SDM 2015-06-19
14:15
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー (愛知県) メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明
岡 博史箕浦佑也淺原亮平細井卓治志村考功渡部平司阪大SDM2015-48
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] SDM2015-48
pp.51-55
 5件中 1~5件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会