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光エレクトロニクス研究会 (OPE)
超伝導エレクトロニクス研究会 (SCE)
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
人工知能と知識処理研究会 (AI)
クラウドネットワークロボット研究会 (CNR)
コンピュテーション研究会 (COMP)
コンピュータシステム研究会 (CPSY)
ディペンダブルコンピューティング研究会 (DC)
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情報通信システムセキュリティ研究会 (ICSS)
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MEとバイオサイバネティックス研究会 (MBE)
医用画像研究会 (MI)
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ソフトウェアサイエンス研究会 (SS)
ソフトウェアインタプライズモデリング研究会 (SWIM)
ヒューマンコミュニケーション基礎研究会 (HCS)
ヒューマン情報処理研究会 (HIP)
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福祉情報工学研究会 (WIT)
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バイオメトリックシステムセキュリティ研究会 (BS)
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ネットワークソフトウェア研究会 (NWS)
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量子情報技術研究会 (QIT)
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テラヘルツ応用システム研究会 (THz)
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電子デバイス技術委員会 (IEE-EDD)
電子材料研究会 (IEE-EFM)
電磁環境技術委員会 (IEE-EMC)
電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
家電・民生技術委員会 (IEE-HCA)
産業電力電気応用研究会(解散) (IEE-IEA)
次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
ITS研究会 (IEE-ITS)
マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
スマートファシリティ研究会 (IEE-SMF)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
CPM
2012-10-27
12:15
新潟
まちなかキャンパス長岡
ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性
○
姉崎 豊
・
佐藤 魁
・
加藤孝弘
・
加藤有行
・
豊田英之
(
長岡技科大
)・
末光真希
(
東北大
)・
中澤日出樹
(
弘前大
)・
成田 克
(
山形大
)・
安井寛治
(
長岡技科大
)
CPM2012-111
パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(001) -2˚off基板上にGeナノドットを形成し,...
[more]
CPM2012-111
pp.97-100
CPM
2012-08-08
13:50
山形
山形大学工学部100周年記念会館セミナー室
ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
○
姉崎 豊
・
佐藤 魁
・
加藤孝弘
・
加藤有行
(
長岡技科大
)・
末光真希
(
東北大
)・
中澤日出樹
(
弘前大
)・
成田 克
(
山形大
)・
安井寛治
(
長岡技科大
)
CPM2012-35
[more]
CPM2012-35
pp.11-15
CPM
2011-08-10
14:15
青森
弘前大学 文京町キャンパス
SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
大谷孝史
・
姉崎 豊
・
浅野 翔
・
加藤有行
(
長岡技科大
)・
成田 克
(
山形大
)・
中澤日出樹
(
弘前大
)・
加藤孝弘
・○
安井寛治
(
長岡技科大
)
CPM2011-59
Si基板上へガスソースMBE法によりモノメチルゲルマン(MMGe)を用いてSi c(4×4)構造形成後, Ge, SiC...
[more]
CPM2011-59
pp.15-20
CPM
2010-10-29
10:25
長野
信州大学 工学部 地域共同研究センター3階研修室
パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化
永田一樹
・
里本宗一
(
長岡技科大
)・
片桐裕則
・
神保和夫
(
長岡高専
)・
末光眞希
・
遠藤哲郎
・
伊藤 隆
(
東北大
)・
中澤日出樹
(
弘前大
)・
成田 克
(
山形大
)・○
安井寛治
(
長岡技科大
)
CPM2010-102
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ...
[more]
CPM2010-102
pp.55-58
CPM
2009-10-29
14:25
富山
富山県立大学
低純度シリコンを用いた太陽電池の試作と評価
○
佐野裕紀
・
都築 暁
・
梅田卓司
・
成田 克
・
鈴木貴彦
・
廣瀬文彦
(
山形大
)
CPM2009-90
金属不純物としてCu、Niを1×1013/cm3の濃度で含むSi単結晶基板を用いて、高効率太陽電池の試作を試みた。ゲッタ...
[more]
CPM2009-90
pp.5-7
CPM
2009-10-29
14:50
富山
富山県立大学
有機絶縁膜を用いたシリコンTFTの低温形成
○
橋本将貴
・
鈴木貴彦
・
成田 克
・
廣瀬文彦
(
山形大
)
CPM2009-91
我々は多結晶Siに特有な粒界を横切る電荷の輸送機構を評価する為に、SiFETの製作プロセスの低温化に取り組んだ。具体的に...
[more]
CPM2009-91
pp.9-11
CPM
2009-10-29
15:15
富山
富山県立大学
塩化Niプラズマを用いた低温Niシリサイド形成
○
廣瀬文彦
・
鹿又健作
・
成田 克
(
山形大
)
CPM2009-92
[more]
CPM2009-92
pp.13-15
CPM
2009-08-10
14:40
青森
弘前大学
半導体工学教育用簡易MOSFET作製プロセス
○
廣瀬文彦
・
宮城達郎
・
成田 克
(
山形大
)
CPM2009-33
電界効果トランジスタ(FET)は集積回路の基本構成要素であり、大学の半導体工学教育現場においても主要な履修要素となってい...
[more]
CPM2009-33
pp.1-3
CPM
2009-08-10
15:05
青森
弘前大学
昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価
○
成田 克
(
山形大
)・
安冨伍郎
・
右ノ子知恵
・
稲永征司
・
並木 章
(
九工大
)
CPM2009-34
Si(100)表面からの水素分子(D$_{2}$)の脱離kineticsを昇温脱離法(Temperature-Progr...
[more]
CPM2009-34
pp.5-8
CPM
2009-08-10
16:05
青森
弘前大学
有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価
○
三浦創史
・
中澤日出樹
・
西崎圭太
(
弘前大
)・
末光眞希
(
東北大
)・
安井寛治
(
長岡技科大
)・
伊藤 隆
・
遠藤哲郎
(
東北大
)・
成田 克
(
山形大
)
CPM2009-36
ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の膜特性改善のために、Si源にモノメチルシラン(MMS)を用いた高周波プラズマ化学気...
[more]
CPM2009-36
pp.13-18
CPM
2009-08-11
11:40
青森
弘前大学
間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
齋藤 健
・
永田一樹
(
長岡技科大
)・
末光眞希
・
遠藤哲郎
・
伊藤 隆
(
東北大
)・
中澤日出樹
(
弘前大
)・
成田 克
(
山形大
)・
高田雅介
・
赤羽正志
・○
安井寛治
(
長岡技科大
)
CPM2009-45
GaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において、原料ガスの間欠供給がGaN結晶膜の特性にどのような効...
[more]
CPM2009-45
pp.61-66
ED
2009-04-24
10:15
宮城
東北大学電気通信研究所
有機ゲートを用いたSiGe/Si/SiとIGBTの試作と評価
○
宮城達郎
・
井田雄介
・
鈴木貴彦
・
成田 克
・
廣瀬文彦
(
山形大
)
ED2009-11
[more]
ED2009-11
pp.45-48
ED
2009-04-24
14:15
宮城
東北大学電気通信研究所
界面制御による色素増感太陽電池の高効率化
○
吉田洋大
・
始閣雅也
・
栗林幸永
・
鈴木貴彦
・
成田 克
・
廣瀬文彦
(
山形大
)
ED2009-17
赤外吸収分光法を用いてN719 色素の吸着サイトや吸着構造の解析を行った。N719 色素はTiO2 表面のOH 基に吸着...
[more]
ED2009-17
pp.73-76
CPM
2008-10-30
13:25
新潟
新潟大学
パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長
○
小前泰彰
・
齋藤 健
(
長岡技科大
)・
末光眞希
・
伊藤 隆
・
遠藤哲郎
(
東北大
)・
中澤日出樹
(
弘前大
)・
成田 克
(
九工大
)・
高田雅介
・
安井寛治
・
赤羽正志
(
長岡技科大
)
CPM2008-76
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ...
[more]
CPM2008-76
pp.7-12
LQE
,
CPM
,
EMD
,
OPE
(共催)
2008-08-28
16:00
宮城
東北大学
界面制御による色素増感太陽電池の高効率化
○
始閣雅也
・
栗林幸永
・
吉田洋大
・
鈴木貴彦
・
成田 克
・
廣瀬文彦
(
山形大
)
EMD2008-42 CPM2008-57 OPE2008-72 LQE2008-41
色素増感太陽電池の高効率化に向けて色素吸着の原子的な制御が重要であるが、吸着状態の直接的な観察は殆どなされていない。我々...
[more]
EMD2008-42
CPM2008-57
OPE2008-72
LQE2008-41
pp.57-60
LQE
,
CPM
,
EMD
,
OPE
(共催)
2008-08-28
16:25
宮城
東北大学
SiGeアノード層を用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化
○
宮城達郎
・
井田雄介
・
鈴木貴彦
・
成田 克
・
廣瀬文彦
(
山形大
)
EMD2008-43 CPM2008-58 OPE2008-73 LQE2008-42
電力変換回路用還流ダイオードとして使われているSi-pinダイオードのp層とi層のライフタイムを個別に制御し、順バイアス...
[more]
EMD2008-43
CPM2008-58
OPE2008-73
LQE2008-42
pp.61-64
LQE
,
CPM
,
EMD
,
OPE
(共催)
2008-08-28
16:50
宮城
東北大学
6T/TiO2接合を用いた有機無機へテロダイオードの光応答特性
○
高梨優樹
・
鈴木貴彦
・
成田 克
・
廣瀬文彦
(
山形大
)
EMD2008-44 CPM2008-59 OPE2008-74 LQE2008-43
有機半導体と金属とのショットキー接合ダイオードは、低コストマイクロ波検波や光センサとして注目されている。本研究では、大気...
[more]
EMD2008-44
CPM2008-59
OPE2008-74
LQE2008-43
pp.65-68
CPM
2007-11-17
09:00
新潟
長岡技術科学大学
ホットメッシュCVD法によるGaN成長 ~ ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果 ~
○
深田祐介
・
安部和貴
・
黒木雄一郎
(
長岡技科大
)・
末光眞希
・
伊藤 隆
(
東北大
)・
成田 克
(
九工大
)・
遠藤哲郎
(
東北大
)・
中澤日出樹
(
弘前大
)・
高田雅介
・
安井寛治
・
赤羽正志
(
長岡技科大
)
CPM2007-115
[more]
CPM2007-115
pp.55-58
SDM
2006-06-22
09:00
広島
広島大学, 学士会館
Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い ~ リアルタイム光電子分光測定から ~
○
末光眞希
・
加藤 篤
・
富樫秀晃
・
今野篤史
(
東北大
)・
寺岡有殿
・
吉越章隆
(
原子力機構
)・
成田 克
(
九工大
)
Si(110)-16´2 表面の初期酸化過程をリアルタイム光電子分光法により評価し,Si(100)面酸化と比較した.Si...
[more]
SDM2006-52
pp.61-63
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