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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
2015-08-24
15:00
熊本 熊本市 [招待講演]低消費電力LSI応用へ向けた高移動度III-V/Ge CMOS技術の最近の進展と課題
入沢寿史産総研)・池田圭司上牟田雄一小田 穣手塚 勉産総研/東芝)・前田辰郎太田裕之遠藤和彦産総研SDM2015-63 ICD2015-32
 [more] SDM2015-63 ICD2015-32
pp.31-36
SDM 2015-01-27
11:15
東京 機械振興会館 [招待講演]フラッシュランプアニール法による多結晶Ge tri-gateジャンクションレスp-/n-MOSFET動作の実証
臼田宏治鎌田善巳上牟田雄一森 貴洋小池正浩手塚 勉産総研SDM2014-138
多結晶Siに比べて低温形成が可能な多結晶Geは、既存集積回路への熱負荷を抑制しつつ直接積層が可能で、3次元積層CMOS用... [more] SDM2014-138
pp.13-16
SDM 2014-01-29
10:25
東京 機械振興会館 [招待講演]MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs
入沢寿史小田 穣池田圭司守山佳彦三枝栄子W Jevasuwan前田辰郎産総研)・市川 麿長田剛規秦 雅彦住友化学)・宮本恭幸東工大)・手塚 勉産総研SDM2013-137
(111)B面をチャネルとする底辺30 nmの三角形状In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に... [more] SDM2013-137
pp.9-12
SDM 2012-06-21
16:55
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 微細InGaAs MOSFETに適用可能な極薄Ni-InGaAs合金コンタクトの形成とその熱的安定性
入沢寿史小田 穣手塚 勉産総研SDM2012-60
微細メタルS/D InGaAs MOSFETへの適用を見据え,Ni-InGaAs合金コンタクトの膜厚制御性と熱的安定性を... [more] SDM2012-60
pp.93-96
SDM 2009-06-19
12:40
東京 東京大学(生産研An棟) Ge MOSデバイスの熱安定性 ~ Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO(II)]の役割 ~
鎌田善己MIRAI-東芝)・高島 章東芝)・手塚 勉MIRAI-東芝SDM2009-31
GeO(g)脱ガス温度は、酸化手法に依存せず、Ge酸化膜中のGeO(II)比率が多い程、低下する。GeO(g)脱ガスはH... [more] SDM2009-31
pp.27-31
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