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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2014-12-22
13:45
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 トンネルデバイスを用いた簡易構成テラヘルツ超広帯域通信のための送信器側モデルと特性解析
浅川澄人山倉裕和加藤優斗伊森香織斉藤光史須原理彦首都大東京ED2014-99
近年、ウェアラブル端末やfog/edge computingといった新たな通信端末、ネットワークサービスが登場してきてお... [more] ED2014-99
pp.3-8
EST 2013-05-10
16:15
神奈川 NTT厚木研究開発センター テラヘルツ帯ボウタイアンテナにおける等価定理を用いた放射電磁界推定法の検討
山倉裕和斉藤光史須原理彦首都大東京EST2013-10
近年盛んとなっているテラヘルツ帯無線通信の研究は送・受信デバイスそれぞれの特性改善と送受信模擬実験による推進がなされてき... [more] EST2013-10
pp.51-56
ED 2012-12-18
11:15
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム テラヘルツ帯無線通信応用を目指した広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのモデリングと動作解析
浅川澄人斉藤光史須原理彦首都大東京ED2012-105
共鳴トンネルダイオード(RTD)をテラヘルツ帯動作デバイスとして無線通信システムへの応用を真摯に考える際, RTD集積構... [more] ED2012-105
pp.69-74
ED 2012-07-27
09:55
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 トンネルダイオードの非平衡量子輸送モデルの構築と遮断周波数の理論解析
山下 新倉上祐司斉藤光史須原理彦首都大東京ED2012-49
未開拓な周波数帯であるテラヘルツ帯(100GHz~30THz)を利用した大容量無線通信の実現に向けて、室温でテラヘルツ動... [more] ED2012-49
pp.43-48
ED 2012-07-27
10:20
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのアレイ化発振源における注入同期特性および周波数コム特性の大信号解析
浅川澄人田代篤史斉藤光史須原理彦首都大東京ED2012-50
およそ300GHz~10THz までのTHz 帯と呼ばれる周波数領域は、超高速無線通信やイメージングなどへの応用が期待さ... [more] ED2012-50
pp.49-54
ED 2011-12-14
16:15
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 広帯域アンテナ集積一体型三重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたゼロバイアス検波特性の非線形解析
高萩 智斉藤光史須原理彦首都大東京ED2011-106
テラヘルツ帯における検波素子の小型化・低消費電力化を実現するには、検波素子への直流バイアスの印加を不要にする「ゼロバイア... [more] ED2011-106
pp.35-40
ED 2011-12-14
16:40
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 アンテナ集積一体型共鳴トンネルダイオードの超高速変調動作の時間領域解析
板垣陽介斉藤光史須原理彦首都大東京ED2011-107
共鳴トンネルダイオード(RTD)は,テラヘルツ領域においても動作可能な微分負性コンダクタンス
(NDC)を持つことから... [more]
ED2011-107
pp.41-44
ED 2011-07-30
11:15
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター ボウタイアンテナと三重障壁共鳴トンネルダイオードとを集積したゼロバイアス検波レクテナに関する解析
中村昌人高萩 智斉藤光史須原理彦首都大東京ED2011-51
 [more] ED2011-51
pp.67-72
ED 2011-07-30
11:40
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター 粒子群最適化手法を用いた三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路の同定
浅川澄人倉上祐司斉藤光史須原理彦首都大東京ED2011-52
およそ300GHz~10THzまでのTHz帯と呼ばれる周波数領域は、超高速無線通信やイメージングなどへの応用が期待されて... [more] ED2011-52
pp.73-77
ED 2011-07-30
14:20
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター スピン分離量評価へ向けたInSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性解析
藤田昌成斉藤光史須原理彦首都大東京ED2011-56
本研究では、InSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの特性を利用し、スピン偏極した電流電圧特性の解析を行った。InSbは... [more] ED2011-56
pp.97-102
SDM, ED
(共催)
(第二種研究会)
2011-06-29
- 2011-07-01
海外 Legend Hotel Analysis of spin-polarized current using InSb/AlInSb resonant tunneling diodes
Masanari FujitaMitsufumi SaitoMichihiko SuharaTokyo Metropolitan Univ.
 [more]
ED 2010-09-13
15:20
福岡 九州工業大(若松キャンパス) 三重障壁共鳴トンネルダイオードの特性解析とモデリング
須原理彦浅川澄人板垣陽介斉藤光史新屋秀秋高萩 智首都大東京ED2010-127
共鳴トンネルダイオードは,その現象の予測および実験的検証以来,量子井戸構造を一つだけ有する二重障壁共鳴トンネルダイオード... [more] ED2010-127
pp.25-30
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
16:25
東京 東工大 大岡山キャンパス Analysis of low loss and wideband characteristics for monolithic isolators using resonant tunneling diodes
Nobuhiko TanakaMitsufumi SaitoMichihiko SuharaTokyo Metro. Univ.ED2010-62 SDM2010-63
 [more] ED2010-62 SDM2010-63
pp.49-53
ED 2010-06-18
10:25
石川 北陸先端大 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析
板垣陽介浅川澄人新屋秀秋斉藤光史須原理彦首都大東京ED2010-43
共鳴トンネルダイオード(RTD)は、原理的にはTHz領域まで微分負性抵抗(NDR)を得られる能動デバイスである。しかし、... [more] ED2010-43
pp.53-58
ED 2008-06-14
11:20
石川 金沢大学 角間キャンパス Si(111)-√7×√3-In再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
森 雅之斉藤光史長島恭兵上田広司吉田達雄前澤宏一富山大ED2008-37
Si(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜を成長させると、Si基板に対して30°回転し、結晶性や電気的特... [more] ED2008-37
pp.81-84
ED 2008-06-14
11:45
石川 金沢大学 角間キャンパス Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果
斉藤光史森 雅之上田広司前澤宏一富山大ED2008-38
我々はSi(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜をヘテロエピタキシャル成長させる新しい手法を提案している... [more] ED2008-38
pp.85-90
ED 2007-06-15
15:15
富山 富山大学 Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成
斉藤光史森 雅之山下勇司丹保豊和前澤宏一富山大ED2007-36
 [more] ED2007-36
pp.27-32
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