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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2023-04-10
11:00
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]高性能IoTマイコン向け22nmロジック混載STT-MRAMの高速読み出し、高速書き換え回路技術の開発
下井貴裕松原 謙斉藤朋也小川大也帯刀恭彦金田義宣伊豆名雅之武田晃一三谷秀徳伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクスICD2023-2
高性能IoTマイコン向け、22nmロジック混載プロセスにて試作した32Mb STT-MRAMの高精度センスアンプ回路技術... [more] ICD2023-2
p.7
ICD 2023-04-11
15:15
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]MCU向け混載MRAM IP開発の動向
斉藤朋也ルネサス エレクトロニクスICD2023-12
MCU向け混載不揮発メモリとして、近年MRAMをはじめとする様々なEmerging メモリが開発され、その一部では量産が... [more] ICD2023-12
p.29
SDM 2022-01-31
13:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAM における72%の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式
斉藤朋也伊藤 孝帯刀恭彦園田賢一郎渡辺源太松原 謙神田明彦下井貴裕武田晃一河野隆司ルネサス エレクトロニクスSDM2021-68
16nm FinFETロジックプロセス混載の20Mb STT-MRAMアレイを搭載したTEGチップを用いて、低エネルギー... [more] SDM2021-68
pp.1-4
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-07
16:30
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術
下井貴裕斉藤朋也長瀬寛和伊豆名雅之神田明彦伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクスSDM2019-39 ICD2019-4
28nmスプリットゲートMONOS(SG-MONOS)型フラッシュメモリを用いた、ハードウェアセキュリティ向けの高信頼の... [more] SDM2019-39 ICD2019-4
pp.15-19
SDM 2018-10-17
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山口泰男山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2018-52
 [more] SDM2018-52
pp.1-5
SDM 2018-01-30
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-94
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる.FinFET SG-M... [more] SDM2017-94
pp.13-16
SDM 2017-10-26
13:00
宮城 東北大学未来研 [依頼講演]28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術
下井貴裕斉藤朋也長瀬寛和伊豆名雅之神田明彦伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクスSDM2017-58
28nmスプリットゲートMONOS(SG-MONOS)型フラッシュメモリを用いた、ハードウェアセキュリティ向けの高信頼の... [more] SDM2017-58
pp.45-49
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