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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: 最近10年)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2025-04-10 12:40 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館 9階第2研修室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［依頼講演］A 28-nm 0.8M-weights/mm2 9.1-TOPS/mm2 SRAM-Based All-Analog Compute-In-Memory Using Fine-Grained Structured Pruning with Adaptive-Ranging ADC ○Kota Shiba（TSMC）・Zhijie Zhan（UTokyo）・Koji Nii・Yih Wang・Tsung-Yung Jonathan Chang（TSMC）・Atsutake Kosuge・Mototsugu Hamada・Tadahiro Kuroda（UTokyo） |
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| ICD | 2025-04-11 10:20 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館 9階第2研修室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［依頼講演］A 3nm Fin-FET 19.87-Mbit/mm2 2RW Pseudo Dual-port 6T SRAM with High-R Wire Tracking and Sequential Access Aware Dynamic Power Reduction ○Tomotaka Tanaka・Yuichiro Ishii・Makoto Yabuuchi・Yumito Aoyagi・Masaya Hamada・Kazuto Mizutani・Koji Nii・Hidehiro Fujiwara・Isabel Wang・Hong-Chen Cheng・Hung-Jen Liao・Tsung-Yung Jonathan Chang（TSMC） |
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| ICD | 2024-04-12 14:55 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館 9階第2研修室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［依頼講演］A 3-nm 27.6-Mbit/mm2 Self-timed SRAM Enabling 0.48 - 1.2 V Wide Operating Range with Far-end Pre-charge and Weak-Bit Tracking ○青柳佑海人・薮内 誠・田中智孝・石井雄一郎・長田佳晃・中里高明・新居浩二・イザベル ワン・ユーハオ シュ・ホン-チェン チェン・ヒュン-ジェン リャオ・チュン-ユン ジョナサン チャン（TSMC） |
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| ICD | 2024-04-12 15:20 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館 9階第2研修室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［依頼講演］3.7-GHz Multi-Bank High-Current Single-Port Cache SRAM with 0.5V-1.4V Wide Voltage Range Operation in 3nm FinFET for HPC Applications ○長田佳晃・中里高明・新居浩二・Jhon-Jhy Liaw・Shien-Yang Michael Wu・Quincy Li・藤原英弘・Hung-Jen Liao・Tsung-Yung Jonathan Chang（TSMC） |
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| ICD | 2024-04-12 15:45 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館 9階第2研修室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［依頼講演］A 3nm-FinFET 4.3 GHz 21.1 Mb/mm2 Double-Pumping 1-Read and 1-Write Pseudo-2-Port SRAM with a Folded-Bitline Multi-Bank Architecture ○Masaru Haraguchi・Yorinobu Fujino・Yoshisato Yokoyama・Ming-Hung Chang・Yu-Hao Hsu・Hong-Chen Cheng・Koji Nii・Yih Wang・Tsung-Yung Jonathan Chang（TSMC） |
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| VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM (連催) (併催) [詳細] |
2020-11-17 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | SONOS Flashセルを用いた不揮発SRAMの設計と回路シミュレーションによる評価 ○浦部孝樹・新居浩二・小林和淑（京都工繊大）  VLD2020-11 ICD2020-31 DC2020-31 RECONF2020-30 |
本稿では SONOS Flash を用いた不揮発の SRAM メモリについてレイアウト設計を行い, その特性について回路... [more] | VLD2020-11 ICD2020-31 DC2020-31 RECONF2020-30 pp.1-5 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-08 13:15 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | ［依頼講演］パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル ○石井雄一郎・田中美紀・藪内 誠・澤田陽平・田中信二・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・Tien Yu Lu・Chun Hsien Huang・Shou Sian Chen・Yu Tse Kuo・Ching Cheng Lung・Osbert Cheng（ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス） SDM2018-40 ICD2018-27 |
従来の8TデュアルポートSRAMセルに対して, パスゲートトランジスタの対称性を向上し, リード・ライトディスターブ状態... [more] | SDM2018-40 ICD2018-27 pp.83-88 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-09 12:45 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | 10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究 ○五十嵐満彦・内田優希・高沢義生・塚本康正・澁谷宏治・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-47 ICD2018-34 |
[more] | SDM2018-47 ICD2018-34 pp.109-113 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-09 13:10 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | 12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s高速デュアルポートTCAMの開発 ○藪内 誠・森本薫夫・新居浩二・田中信二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-48 ICD2018-35 |
[more] | SDM2018-48 ICD2018-35 pp.115-120 |
| ICD | 2018-04-20 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］IoT向け65nmSOTBプロセスを用いた2RWデュアルポートSRAMの設計事例 ○澤田陽平・山本芳樹・長谷川拓実・新川田裕樹・藪内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・篠崎義弘・伊東恭二（日本システムウエア）・田中信二・新居浩二・蒲原史郎（ルネサス エレクトロニクス） ICD2018-8 |
[more] | ICD2018-8 pp.29-32 |
| ICD | 2018-04-20 10:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］同/異RowでのWLパルスタイミング調整を用いた同期型2RW 8T Dual-port SRAMのダイナミック電力削減 ○横山佳巧・石井雄一郎・奥田治之・新居浩二（REL） ICD2018-9 |
同期2-read/write (2RW) 8T dual-port (DP) SRAMにおいて動作電力を削減する効果的な... [more] | ICD2018-9 pp.33-38 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-07-31 10:40 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発 ○藪内 誠・新居浩二・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）・篠崎義弘（日本システムウエア）・山本芳樹・長谷川拓実・新川田裕樹・蒲原史朗（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-33 ICD2017-21 |
[more] | SDM2017-33 ICD2017-21 pp.13-16 |
| ICD | 2017-04-21 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM ○澤田陽平・藪内 誠・森本薫夫（ルネサス エレクトロニクス）・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2017-12 |
[more] | ICD2017-12 pp.63-65 |
| ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM (共催) QIT (併催) [詳細] |
2017-01-31 15:25 |
広島 | みやじま杜の宿(広島) | ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM ○石井雄一郎・薮内 誠・澤田陽平・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・良田雄太・柴田 健・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・田中信二・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 |
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2R... [more] | EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 pp.87-92 |
| ICD | 2016-04-14 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］低消費電力MCU向け40-nm 4-Mb組込みSRAMを用いた効率的なスクリーニング手法 ○良田雄太（ルネサス システムデザイン）・横山佳巧・石井雄一郎（ルネサス エレクトロニクス）・稲田敏浩・田中浩司・田中美紀・辻橋良樹（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2016-1 |
低消費マイコン(MCU)向けに、効率的なテストスクリーニング回路を搭載した組込みシングルポートSRAMを開発した。室温で... [more] | ICD2016-1 pp.1-6 |
| ICD | 2016-04-14 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］298-fJ/writecycle 650-fJ/readcycleを実現する画像処理プロセッサ向け28-nm FD-SOI 8T 3ポートSRAM ○森 陽紀・中川知己・北原佑起・河本優太・高木健太・吉本秀輔・和泉慎太郎（神戸大）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2016-3 |
28-nm FD-SOIプロセス技術を用いた, 低消費電力かつ低電圧な画像処理向け64-kb 8T3ポートSRAMを提案... [more] | ICD2016-3 pp.13-16 |
| SDM | 2016-01-28 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例 ○新居浩二・薮内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・横山佳巧（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・岡垣 健・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・田中浩司・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・田中信二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2015-125 |
[more] | SDM2015-125 pp.21-25 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 15:50 |
熊本 | 熊本市 | 16nm FinFETの容量解析と性能・面積検討 ○岡垣 健・渋谷宏治・森本薫夫・塚本康正・新居浩二・小野沢和徳（REL） SDM2015-64 ICD2015-33 |
[more] | SDM2015-64 ICD2015-33 pp.37-40 |
| ICD | 2015-04-16 13:00 |
長野 | 信州大学 | ［依頼講演］20nmプロセスにおける高密度SRAMのワード線調整アシスト回路システム ○藪内 誠・塚本康正・森本薫夫・田中美紀・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2015-1 |
[more] | ICD2015-1 pp.1-4 |
| ICD | 2015-04-16 13:25 |
長野 | 信州大学 | ［依頼講演］自動調整型負ビット線方式による部分ライトアシスト回路を用いた28nm 512-kb 1-GHzデュアルポートSRAM 田中信二・石井雄一郎・薮内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・田中浩司・塚本康正・○新居浩二・佐藤広利（ルネサス エレクトロニクス） ICD2015-2 |
[more] | ICD2015-2 pp.5-8 |
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